表面粗化技术是直接在LED芯片的出光面制作周期性表面微结构,以改变入射光角度,提高芯片的光提取效率。G2PM109NLF按照芯片结构的不同,常规的正装芯片通常在p型G瘀层或1TO透明电极层制作周期性图形(见图5-41);而倒装结构芯片由于出光面为衬底蓝宝石, 则在蓝宝石表面进行图形化。表面粗化技术在LED出光面制作微结构的工艺与蓝宝石衬底图形化I艺相同,主要是湿法刻蚀和ICP干法刻蚀。除使用光刻胶作为掩膜的传统光刻技术外,纳米压印、金属自组装 等技术也应用于表面粗化过程,并在出光面形成二维光子晶体结构。

    T.S⒗m等人以直径为300nm的聚苯乙烯球形成的单层自组装膜为掩膜,通过℃P亥刂蚀在p-GaN表面孔洞结构(见图5-42(a)),然后其上制作ITo透明电极并形成柱形图案化结构(见图5-42(b)~(d))。实验结果表明,以表面孔洞结构的p-GaN和柱形ITO透明电极制作的LED芯片,其在⒛mA驱动电流下的输出功率相比普通结构的LED芯片能够分别提高⒛%和10%。这主要归因于p-GaN层周期性孔洞表面结构和ITo透明电极柱形结构能够使得更多的全内反射光从界面射出,提高了芯片的光提取效率。