- 其他溅射方法2017/5/22 20:14:03 2017/5/22 20:14:03
- 溅射工艺有多种方法,除了前述的直流、磁控、射频溅射以外,反应溅射、偏压溅射、离子束L92256溅射等方法在集成电路制造技术中应用得也越来越多,工艺技术也在不断完善。而不同的溅射方法相结合叉不断构...[全文]
- 激发气体等离子化的电场是交变电场的溅射方法2017/5/22 20:08:09 2017/5/22 20:08:09
- 射频溅射(RF№tltte。llbo)是指激发气体等离子化的电场是交变电场的溅射方法。1966年IBM公司首先研发出了射频溅射技术,它可以溅射绝缘介质。L78M12CDT-TR这一溅射方法的出现...[全文]
- 蒸发速率2017/5/22 19:49:58 2017/5/22 19:49:58
- 蒸发速率也对薄膜质量有重要影响。提高源的蒸发速率,有利于减少真空室残余气体对源蒸气和衬底表面的碰撞,能提高所淀积薄膜的纯度和与衬底的结合力,L7805ABV以及表面质量。但是,如果蒸发速率过快,...[全文]
- 蒸镀设备主要采用的加热器类型及性能特点如下2017/5/21 18:12:48 2017/5/21 18:12:48
- 当前,蒸镀设备主要采用的加热器类型及性能特点如下。①电阻加热器。它是利OP27GS用电功率为源提供能量使源蒸发的。加热器材料多为难熔金属,如钨、钼、钽等,制成螺旋式、锥形篮式、舟式...[全文]
- 旋转叶片式机械泵的剖视2017/5/21 17:30:43 2017/5/21 17:30:43
- 在MKS单位制中,气体压力以帕(Pa)为基本单位,在有些书籍和真空设备中也常用托(torr)表示,ltorr=133,32Pa。真空度与大气压(atm)的换算关系:1atm=01MI)a,1蔽m...[全文]
- 真空的获得方法2017/5/21 17:28:18 2017/5/21 17:28:18
- 在微电子工艺中不同的工艺方法要求的真空度范围不同,通常将真空度大致划分为四个级别。BCM5751KFBG在不同的真空度范围,气体分子也处于不同的运动状态,这对于具体的工艺过程有重要影响。...[全文]
- CVD-AL2017/5/20 22:26:56 2017/5/20 22:26:56
- 对CVD一AL的研究从20世纪80年代初就开始了,但仍处于实验室研究阶段。日前,CⅥ》Al也有覆盖淀积和选择淀积两种制各方法。早期的CVD-Al主要是覆盖淀积,这种A1膜有...[全文]
- CVD W采用的工艺方法为冷壁式低压工艺2017/5/20 22:04:52 2017/5/20 22:04:52
- 日前,CVDW采用的工艺方法为冷壁式低压工艺。可以采用的钨源主要有WF6、WC坛和W(CO)6。ACT8846QM490-T其中,WF6使用最多,其沸点为17℃,直接输人C`0反应器可以精确控...[全文]
- 扩散和离子注入掺磷多晶硅的电阻率曲线2017/5/20 21:58:48 2017/5/20 21:58:48
- 多晶硅薄膜厚度在nm或um数量级,通常为几十nm,而杂质在晶界中的快速扩散,使得杂ACT8601QJ318-T质在多晶硅薄膜中的扩散速率很快。扩散掺杂的缺点是工艺温度较高,而晶粒粒度随着衬底温度...[全文]
- 制各掺杂多晶硅薄膜通常是采取两步工艺2017/5/20 21:47:58 2017/5/20 21:47:58
- 制各掺杂多晶硅薄膜通常是采取两步工艺:先LPCVD本征多晶硅薄膜,然后再进行离子注人或扩散掺杂。离子注入掺杂的优点是可以精确控制掺人杂质的剂量,适合不同掺杂浓度的多晶硅薄膜。选择A...[全文]
- 氮化硅无论是晶格常数还是热膨胀系数与硅的失配率都很大2017/5/20 21:17:38 2017/5/20 21:17:38
- 氮化硅无论是晶格常数还是热膨胀系数与硅的失配率都很大,囚此,在凯N1/s界面硅的缺陷密度大,ACT2801CQL-T成为载流子陷阱和复合中心,影响硅的载流子迁移率,从而影响元器件性质;而且氮化硅...[全文]
- 离子注入与热扩散比较及掺杂新技术 2017/5/17 21:44:46 2017/5/17 21:44:46
- 离子注人与热扩散技术作为两种主要掺杂方法,有各自的优缺点,本节分别就动力、杂质浓度RT8205LZQW、结深、横向扩散、均匀性、工作温度、晶格损伤及应用等方面对两种掺杂技术进行比较,并进而介绍几...[全文]
- 退火后往往会留下所谓的二次缺陷2017/5/16 21:33:01 2017/5/16 21:33:01
- 退火时虽然通过简单损伤的复合可大大消除晶格损伤,但与此同时也有可能发生由几个简单损伤的再结合而形成复杂的损伤。因此退火后往往会留下所谓的二次缺陷。M74VHC1GT125DF1G二次缺陷可能影响...[全文]
- 高温退火引起的杂质再分布2017/5/16 21:30:27 2017/5/16 21:30:27
- 注入离子在靶内的分布可近似认为是高斯型的,然而在消除晶格损伤、恢复电M74HC595RM13TR学参数和激活载流子所进行的热退火过程中,会使高斯分布有明显的展宽,偏离了注人时的分布,尤其是尾部的...[全文]
- 非晶层的形成2017/5/16 21:12:55 2017/5/16 21:12:55
- 注入离子引起的晶格损伤可能是简单的点缺陷,也可能是复杂的损伤复合体,甚至使M64026FP晶体结构完全受到破坏而变为无序的非晶层。晶格损伤情况,不仅与人射离子的质量、能量有关,而且与离子注人剂量...[全文]
- 气体浸没激光掺杂2017/5/15 21:03:21 2017/5/15 21:03:21
- 这项I艺是用准分子激光(308nm)器产生高能量密度(0,5~2.0J/cm2)的短脉冲(20~100ns)激光,照射处于气态源(如PF5或B虱)中的硅表面,PA806C03硅表面因吸收能量而变...[全文]
- 扩散工艺的发展 2017/5/15 20:46:39 2017/5/15 20:46:39
- 随着半导体集成电路的高速发展,半导体器件特征尺寸不断减小,芯片集成度不断提高,特征尺寸的降低,超浅结、NCP1117LPST25T3G陡峭的杂质分布等需要促使工艺技术进一步改进,近年发展的扩散掺...[全文]
- 器件的电学特性与扩散工艺的关系 2017/5/14 18:40:17 2017/5/14 18:40:17
- 击穿电压和反向漏电流pn结的击穿电压和反向漏电流,既是评价扩散层质量的重要标志,也是器件(晶体管等)的重要直流参数。R5325K003B-TR它要求pn结的伏安特性“硬”,即反向击...[全文]
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