- 菲克(Fick)第一扩散定律2017/5/13 18:31:57 2017/5/13 18:31:57
- 菲克第一扩散定律认为在扩散体系中,参与扩散的质点的浓度因位置而异,且可随时间的变化而变化,即浓度是位置坐标J、γ、z和时间r的函数。MAX4761ETX+T对于平面工艺中的扩散问题,由于扩散所形...[全文]
- 热应力2017/5/13 17:58:59 2017/5/13 17:58:59
- 因为s02与s的热膨胀系数不同(Si是2.6×106Kl,SiO2是5×107Kl),因此在结束氧化退出高温过程后,会产生很大的热应力,对⒊O2膜来说是来自s的压应力。MAX17141ETG+这...[全文]
- 界面陷阱电荷2017/5/12 22:12:08 2017/5/12 22:12:08
- Qn通常位于界面上,电荷密度为10"cm2左右,是由能量处于硅禁带中、可以与价S9S08DZ60F2MLH带或导带方便交换电荷的那些陷阱能级或电荷状态引起的。那些陷能级可以是施主或受主,也可以是...[全文]
- 二氧化硅薄膜的结构缺陷主要是氧化层错2017/5/12 22:02:12 2017/5/12 22:02:12
- 二氧化硅薄膜的结构缺陷主要是氧化层错。因为热氧化是平面△艺中的一种基本工艺,而且无位错硅单晶中的微缺陷经过氧化后也将转化为层错,S9S08AW16AE0CLC所以氧化层错的问题是工艺中的一个很重...[全文]
- 氧化层的质量及检测 2017/5/12 21:56:13 2017/5/12 21:56:13
- 通过热氧化在硅表面生长的氧化层在后续I艺中可作为掩膜使用,也可作为电绝缘层和元器件的组成部分,OV10620-C48A其生长质量及性能指标是否可以达到上述各功能使用要求,必须在生长I艺后进行必要...[全文]
- 在硅中高斯分布的硼经热2017/5/12 21:53:14 2017/5/12 21:53:14
- 图⒋28所示是在硅中高斯分布的硼经热氧化后的浓度分布情况。图中虚ORIONC1线表示的是热氧化前理想的高斯分布,圆点表示的是热氧化后硼分布的实验结果。图中实线是按Κ=0.1计算的再分布情形。...[全文]
- 图形漂移和畸变现象 2017/5/10 22:40:31 2017/5/10 22:40:31
- 外延图形的漂移和畸变现象是指在外延生长之前,硅片表面可能存在凹陷图形,外延生κ之后,MAX202CSE本该在外延表面相应位置出现完全相同的图形.却发生了图形的水平漂移、畸变,甚至消失的现象,如图...[全文]
- OCVD工艺日益受到人们的广泛重视2017/5/10 22:32:33 2017/5/10 22:32:33
- OCVD工艺日益受到人们的广泛重视,主要是由于它具有下列一些显著的特点:①可以通过精确控制各种气体的流量来控制外延层的成分、导电类型、载流子MAX1858EEG-T浓度、厚度等特性...[全文]
- 超高真空化学气相淀积2017/5/10 22:31:11 2017/5/10 22:31:11
- 化学气相淀积是以气相方式输运源,通过化学反应物在单晶或非晶衬底上淀积形成多晶或非晶薄膜的工艺技术。C、①工艺方法和设各都与WIPE类似,其实XlPE也是一种C、①技术,MAX1853EXT只是对...[全文]
- 其他外延方法 2017/5/10 22:25:04 2017/5/10 22:25:04
- 其他常用的外延方法还有液相外延、固相外延,以及金属有机物化学气相外延等先进外延技术。液相MAX1779EUE外延和固相外延是物理夕卜延方法,金属有机物化学气相外延是化学外延和固相外延相结合的外延...[全文]
- 两种选择外延方法2017/5/9 22:16:07 2017/5/9 22:16:07
- 选择外延(SdcctheE泌axl时Growth,SEG)是指在衬底表面的特定区域生长外延层,而其他LD2985BM33R区域不生长外延层的外延工艺。选择外延最早是用来改进集成电路各元件之间的隔...[全文]
- 外延设备2017/5/9 22:08:46 2017/5/9 22:08:46
- 在3.2.2节图34中的气相外延设各是典型的卧式(水平式)气相外延设备。外延设LD2981CU33TR各种类繁多,除了有卧式还有立式、筒式,常压、低压,热壁、冷壁等多种类型之分。图312所示是立...[全文]
- 硅的气相外延工艺2017/5/9 21:32:26 2017/5/9 21:32:26
- 硅的外延通常是采用气相外延I艺,在低阻硅衬底上外延生长高阻硅,得到午。氢气还原四氯化硅(SiC)是典型的硅外延工艺,总化学反应LD1117AS33TR方程式为典型的气相外延设备示意...[全文]
- 硅的气相外延工艺2017/5/9 21:32:19 2017/5/9 21:32:19
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- 微波器件的芯片制造2017/5/8 20:51:49 2017/5/8 20:51:49
- 微波器件的芯片制造,需要具有突变杂质分布的复杂多层结构衬底材料。可以采M24C32-WMN6T用多层外延工艺来实现这类衬底材料的制各。所以,基于外延I艺能够制备特殊杂质分布外延层这一特点,电子产...[全文]
- 按工艺温度分类2017/5/8 20:49:47 2017/5/8 20:49:47
- 外延若按工艺温度来分类,可以划分为高温外延、低温外延和变温外延。M24C32-MN6T高温外延是指外延工艺温度在1000℃以上的外延;低温外延是指外延工艺温度在1000℃以下的外延;变温外延是指...[全文]
- 将硅锭切成具有精确几何尺寸的薄晶片2017/5/8 20:36:43 2017/5/8 20:36:43
- 磨出平边后用化学腐蚀方法去除滚磨造成的损伤,化学腐M1TSVB1SHI蚀液为HPHNo3系统。切片:以主平边为基准,将硅锭切成具有精确几何尺寸的薄晶片。(111)、(100)硅片的...[全文]
- 中子照射过程会带来晶格损伤2017/5/8 20:19:17 2017/5/8 20:19:17
- 中子照射过程会带来晶格损伤,嬗变掺杂K4S561632N-LC75后需要进行硅锭的热退火,退火条件通常为:∞0℃、1小时。中子嬗变掺杂无液相掺杂和气相掺杂中的杂质分凝、杂质蒸发现象...[全文]
- 固溶体主要可分为两类2017/5/7 17:15:11 2017/5/7 17:15:11
- 假设有重量百分比分别为86%As和14%Sl的熔融体混合物从高温开始冷却。在温度GM1117-AST3降至10⒛℃时,固体sAs从熔体中结晶出来,熔体成为富砷相,直到温度降至944℃,这时液相组...[全文]
- 硅相对于其他半导体材料在电学性质方面并无多少性能优势2017/5/6 18:11:33 2017/5/6 18:11:33
- 硅相对于其他半导体材料在电学性质方面并无多少性能优势。但是,硅在其他方面有许多优势。表⒈2给出了室温下硅与其他材料的理化性质。NCP18XQ102J03RB硅相对于其他半导体材料的优势主要表现在...[全文]
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