注入离子引起的晶格损伤可能是简单的点缺陷,也可能是复杂的损伤复合体,甚至使M64026FP晶体结构完全受到破坏而变为无序的非晶层。晶格损伤情况,不仅与人射离子的质量、能量有关,而且与离子注人剂量、剂量率以及靶温和晶向等因素有关,以下将使晶体刚刚变成非晶层的各种影响因素的临界量进行简单介绍。

   与注入剂量的关系

   当注入剂量较低时,各个人射离子形成的损伤区彼此很少重叠,注人区内形成的将是许多互相隔开的损伤区。当注人剂量增大时,各个损伤区最终将会发生重叠而形成连续的非晶层,开始形成连续非晶层的注人剂量称为临界剂量。一般来说,在一定的条件下,随着注入剂量的增加,所引起的晶格损伤也更加严重。当剂量达到一定数量时,就会形成完全无序的非晶层。例如,将Irl・注人Ge或将 Sb=、Ga÷、P+注人⒏中,注人层损伤量随注人剂量变化的关系如图623所示。由图623可知,当注入剂量较小时,损伤量随注人剂量成正比地增加;当注入剂量增大到某个值时,损伤量不再增加,趋于饱和。损伤量饱和正是对应于连续非晶层的形成。开始饱和的注人剂量就称为临界剂量。由图623还可看到,注人的离子质量越小,其临界剂量越大。