Qn通常位于界面上,电荷密度为10"cm2左右,是由能量处于硅禁带中、可以与价S9S08DZ60F2MLH带或导带方便交换电荷的那些陷阱能级或电荷状态引起的。那些陷能级可以是施主或受主,也可以是少数载流子的产生和复合中心,包括起源于~Sl/SiO2界面结构缺陷(如硅表面的悬挂键)、氧化感生缺陷及金属杂质和辐射等因素引起的其他缺陷。

    通常可通过氧化后在低温、惰性气体中退火来降低Qn的浓度。在(100)的硅上进行干氧氧化后,每单位能量L的界面陷阱密度q的值是10"~10⒓/(cm2・eV),而且会随着氧化温度的升高而减小。而金属化后的退火可以把D“的值降低到(3~5)×101・/(cm2・eV)。

   氧化层陷阱电荷

   qt位于s02中和s/Si02界面附近,这种陷阱俘获电子或空穴后分别带负电或正电,电荷密度在10Ⅱ~10"cm2之间。这是由氧化层内的杂质或不饱和键捕捉到加工过程中产生的电子或空穴所引起的。在氧化层中有些缺陷能产生陷阱,如悬挂键、界面陷阱变形的⒊―⒊、s―0键。氧化层陷阱电荷的产生方式主要有电离辐射和热电子注人。减少电离辐射陷阱电荷的主要工艺方法有:①选择适当的氧化工艺条件以改善sO2结构,使⒏―O―⒊键不易被打破。一般称之为抗辐照氧化最佳工艺条件,常用1000℃干氧氧化;②在惰性气体中进行低温退火(150~400℃)可以减少电离辐射陷阱。