离子注人与热扩散技术作为两种主要掺杂方法,有各自的优缺点,本节分别就动力、杂质浓度RT8205LZQW 、结深、横向扩散、均匀性、工作温度、晶格损伤及应用等方面对两种掺杂技术进行比较,并进而介绍几种适应VLSI发展要求的掺杂新技术。表66给出了离子注人与热扩散技术比较。

   随着VLSI技术的发展,芯片的特征尺寸越来越小,这两种掺杂技术已经成为影响电路集成度提高的主要因素。在45nm技术节点,离子注人掺杂后的超浅结的结深将达到9.5nm,为了进一步减小超浅结的结深,按照传统方法必须减小离子注人能量,向超低能量(200~500eV)离子注入方向发展。同时还要减小其能量污染效应,提高生产效率。但现有高电流低能离子注入机很难在低能量污

染和高生产效率的前提下满足要求。研究发现,采用较高分子量掺杂材料(如Bl。H14或B1:H22)代替B进行等效掺杂时,离子束电流和注入能量都会大大增加。同时还具有其他一些优点,如减轻隧穿效

应,对掺杂表面进行无定形化处理等。因此,用较高分子量掺杂材料进行等效离子掺杂是满足45nm及以下工艺要求的有效方法。

    曾经有一些研究者采用了传统的离子束注人技术制备超浅结,通过减小注人能量、降低热处理时间和温度等来实现,如低能离子注入(I'E)、快速热退火(K队)、预非晶化注人(PAI)等。但从根本上讲,这些技术制各超浅结会带来几个问题:瞬态增强扩散的限制、激活程度的要求、深能级中心缺陷等。较有希望的新兴超浅结掺杂技术包括等离子体浸没掺杂(Plasll△a Immer蚯on Ion Ilnplallta0on Doollg,PIID)、投射式气体浸人激光掺杂(Pr向ed%s hmeAollI记sel hplllg,PCFII~D)、快速气相掺杂(№odVaporplla∝Doplllg,R`0)及离子淋浴掺杂(Iol・⒏owˉer I∞mllg,I(D)。