这项I艺是用准分子激光(308nm)器产生高能量密度(0,5~2.0J/cm2)的短脉冲(20~100ns)激光,照射处于气态源(如PF5或B虱)中的硅表面,PA806C03硅表面因吸收能量而变为液体层,同时掺杂源由于热解或光解作用产生杂质原子,通过液相扩散,杂质原子进人这个很薄的液体层。溶解在液体层中 的杂质其扩散速率比在固体中高8个数量级以上,因而杂质快速并均匀地扩散到整个熔化层中。当激光照射停止后,这个已经掺有杂质的液体层通过固相外延转变为固态结晶体,由液体变为固态结晶体的速度非常快(大于3Ws)。

   在结晶的同时,杂质也进入激活的晶格位置,不需要进一步退火过程,而且掺杂只发生在表面的一薄层内。由于硅表面受高能激光照射的时间很短,而且能量又几乎都被表面吸收,硅体内仍处于低温状态,不会发生扩散现象,也就是说,体内的杂质分布没有受到任何扰动。硅表面熔化层的深度由激光束的能量和脉冲时间所决定。因此,可根据需要控制激光能量密度和脉冲时间以达到控制掺杂深度的目的。在液体中杂质扩散速率非常快,杂质的分布也就非常均匀,因此,可以形成陡峭的杂质分布形式,如图⒌2迮所示是气体浸没激光掺杂的超浅深度杂质分布形式。因此,采用这种方法可以得到别的方法不可能得到的突变型杂质分布、超浅深度和极低的串联电阻。CJILD技术对工艺做出了极大的简化,近年来,该技术成功应用于ˇ⑩S和双极型器件的制造中。

   在GILD基础上,一个更有发展前景的技术是投射式GILD(Pr臼ect Gas Immcrson LaserDomng,Rc.I1冫D)工艺,把用准分子激光器产生的激光束,通过介质掩膜版聚焦之后投射到硅片上。在掩膜的整个视场都被曝光之后(曝光区域的硅被激光熔化),硅片被步进,然后重复曝光。结深随着脉冲能量增加而加深,掺杂只发生在被激光熔化的区域中,从而实现选择掺杂。在一个工序中相继完成掺杂、退火和形成图形,RGILD技术对工艺做出了极大的简化。