随着半导体集成电路的高速发展,半导体器件特征尺寸不断减小,芯片集成度不断提高,特征尺寸的降低,超浅结、 NCP1117LPST25T3G陡峭的杂质分布等需要促使工艺技术进一步改进,近年发展的扩散掺杂技术包括快速气相掺杂和气体浸没激光掺杂。

   (D快速气相掺杂(Ramd vapα-pl△ase Dophg,RVD这是一种掺杂剂从气相直接向硅中扩散,并能形成超浅结的快速掺杂工艺。利用快速热处理过程(RTP)将处在掺杂气氛中的硅片快速均匀地加热至所需要的温度,同时掺杂剂发生反应产生杂质原子,杂质原子直接从气态转变为被硅表面吸附的固态,然后进行固相扩散,完成掺杂目的。与普通扩散炉中的掺杂不同,快速气相掺杂在硅片表面上并未形成含有杂质的玻璃层。与离子注人相比(特别是在浅结的应用上),RVD技术的潜在优势在于它并不受离子注人所带来的一些效应的影响,如沟道效应、晶格损伤或使硅片带电。

    对气相掺杂剂流量的精确控制是保证掺杂浓度和均匀性满足要求的重要条件,一般是通过稀释气体(如氢气)控制气态掺杂剂的浓度。最终的表面掺杂浓度Cs和结深凸取决于气态掺杂剂的浓度、热处理时间和温度。硼的掺杂剂通常是马H6,磷的掺杂剂通常是PH3,它们的载气均使用H2。快速气相掺杂在UIsI工艺中得到广泛应用,如对DRAM中电容的掺杂,深沟侧墙的掺杂,甚至在CMOs浅源漏结的制造中也采用快速气相掺杂技术。在很多方面快速气相掺杂可以替换离子注人技术,与离子注入制造的芯片相比,快速气相掺杂制造的短沟CM(DS器件显示出更好的特性。对于选择扩散来说,采用快速气相掺杂I艺仍需要掩膜。另外,快速气相掺杂仍然要在较高的温度下完成。杂质分布是非理想的指数形式,类似固态扩散,其峰值处于表面处。