固态物质可分为两大类,即晶体和非晶体。同种成NCP15XH103J03RC分物质的晶体和非晶体在内部结构和物理化学性质等方面都存在着本质差别。硅基微电子产品都是采用硅单晶作为衬底材料的。因此,硅晶体的结构特点、硅晶体缺陷和硅晶体中的杂质这几方面的知识在微电子工艺中是必备的基础理论知识。

   硅的性质

   硅是Ⅳ族元素,是地壳外层中含量仅次于氧的元素,占地壳的25%。硅通常以氧化物和硅酸盐形态出现,如自然界中的石英砂、石英、水晶就是主要含硅的氧化物,而花岗岩、黏土、石棉中主要含有 硅酸盐。

   室温下,硅的化学性质不活泼。卤素和碱能侵蚀硅,除氢氟酸外

绝大多数酸都不能侵蚀硅。单质硅有无定形体和晶体两种类型。晶体硅具有金刚石结构(sf杂化),每个原子都与4个最近邻原子形成4对自旋相反的共有电子,构成4个共价键。4个共价键取正四面体顶角方向,两两原子之间的夹角都是109°28′。单晶硅的四面体结构如图⒈1所示。这种金刚石型的正四面体原子共价晶体的结合能高,所以,晶体硅熔点高(达⒒17℃),硬度大(莫氏硬度为7.0)。硅晶体在氧气中结构也不改变,但暴露在空气中的硅表面会被氧化,生成几个原子层厚的氧化层。硅晶体还可溶于氢氟酸和硝酸的混合液中生成氟化硅。