注入离子在靶内的分布可近似认为是高斯型的,然而在消除晶格损伤、恢复电M74HC595RM13TR学参数和激活载流子所进行的热退火过程中,会使高斯分布有明显的展宽,偏离了注人时的分布,尤其是尾部的偏离更为严重,出现了较长的按指数衰减的尾巴。在注入条件和退火时间相同的条件下,经不同温度退火后的硼原子浓度分布情况如图627所示。

  实际上,热退火温度同热扩散时的温度相比,要低得多。在比较低的温度下,对于晶体中的杂质来说,扩散系数是很小的,杂质扩散很慢,甚至可以忽略。但是,对于注入区的杂质,即使在比较低的温度下,杂质扩散效果也是非常显著的,这是因为注入离子所造成的晶格损伤使硅内的空位密度比热平衡时晶体内的空位密度要大得多。另外,由于离子注入也使晶体内存在大量的间隙原子和各种缺陷,这些原因都会使扩散系数增大,扩散效应增强c正因如此,有时也称热退火过程中的扩散为增强扩散。因为在⒏和Gc中,慢扩散杂质B、川、Ga、In、P、As、Sb等是通过空位而进行扩散的,故其热扩散系数应与空位密度成正比。由于离子注人会引起空位密度增加,因而扩散系数增大导致扩散增强。实验还表明,当增加离子注人速率时,由于缺陷的产生率增加,离子注人区的空位密度也随之增加,则增强扩散效应也更加显著。