退火时虽然通过简单损伤的复合可大大消除晶格损伤,但与此同时也有可能发生由几个简单损伤的再结合而形成复杂的损伤。因此退火后往往会留下所谓的二次缺陷。M74VHC1GT125DF1G二次缺陷可能影响载流子的迁移率、少数载流子寿命及退火后注入原子在晶体中的位置等,因而直接影响半导体器件的特性。曾经有许多人用透射电子显微镜对二次缺陷进行了观察和研究。迄今为止观察到的二次缺陷有黑点、各种位错环、杆状缺陷、层错及位错网等。

   当注人材料退火时,在相互可以相遇的空间范围内空位与间隙原复合,复合后缺陷就消失,两种类型缺陷相互完全消失是不可能的,因为两者处于不同空问。因此,短时问退火后,注人材料还有两种类型点缺陷的残留缺陷,这两种点缺陷的分布和浓度是各自不同的。进一步退火使点缺陷聚结在一起形成位于面的本征和非本征的错位位错环。进一步退火后,位错环能生长,能量增加。对于某一个尺寸,位错环的能量将变成等于由土位错束缚的无位错环能量。如果注人材料仍处于饱和点缺陷状态,完整的环也能因吸收点缺陷而扩大,形成位错网。通常,注人离子的共价四面体的半径与主体原子的四面体半径是不同的。因此,在退火期间,注入杂质占据替位会产生局部应力。因为位错和杂质应力场的合适的弹性的相互作用,注人原子迁移到退火期间产生的位错环和位错上去可以降低系统的整个应力能。