表64给出s中二次缺陷随离子注人剂量及退火温度变化的情况。注人温度都取室温,能量为40~100keV。M74VHC1GT50DFT1G从表中可得到以下几个主要结论:杆状缺陷只在以较低的剂量注人B及Ne时发生;注人剂量增大时,对所有离子都会发生小环(5~10nm),这些小环随退火温度升高而转变为位错;对 于除B+以外的全部离子,在极高的注入剂量时发生高度不规则结构。所谓高度不规则结构是指在退火前为非晶层,在退火时不发生外延再结晶,而变为由大量微小晶粒所组成的结构。

   注人条件:衬底〈111〉的⒊(n型和p型,5~10Ω・cm);能量4O~100kcV;衬底温度为室温。在离子注人后进行热氧化时还会产生更大的层错和位错环。这些缺陷可以用普通的光学显微镜观察到,称为三次缺陷。三次缺陷有可能使二极管的反向漏电流变得非常大。