对CVD一AL的研究从20世纪80年代初就开始了,但仍处于实验室研究阶段。日前,CⅥ》Al也有覆盖淀积和选择淀积两种制各方法。

   早期的CVD-Al主要是覆盖淀积,这种A1膜有极好的保形覆盖特性、电阻率低, ADG508AKRZ-REEL7与衬底硅和氧化层的附着性良好。但是,这种覆盖式A1膜的表面较为粗糙,会给光刻工艺带来问题。常用的铝源主要为TMA[分子式为A1(CH3)6彐,在低于300℃时就能热分解淀积。之后不久,开发出了选择淀积A1膜,铝源采用的是金属有机化合物TIBA(分子式为EAl(C4H9)3])。TIBA在250°C热分解,只在衬底表面是硅或金属的地方成核、 生长、形成A1膜,可以很好地填充0,4um大小的接触,但是,TIBA蒸气压较低,淀积速率较慢。

    wF6在选择淀积中会与硅发生反应淀积W,而TIBA则不会,因此可保证硅表面免受损伤。而且,如果薄膜是在比较好的成核层上进行淀积,表面粗糙的问题也会明显地得到改善。

   目前,还有两种铝有机化合物源也被看好,分别是DMAHE分子式为A1H(CH3)2彐和DMEAA分子式为(CH3)2C・H5N(川H3)彐,二者都可以在低于200℃时淀积铝膜。尽管使用有机化合物金属源具有淀积温度低等优点,但是,都存在安全问题。所有铝有机化合物源都是有毒物质,且易燃,接触到水会发生爆炸。因此,在使用和储存过程中必须低温密封,操作方法合理。而且,它们是极易反应的化合物,当室温放置等待注入反应器时,必须采取措施保证其稳定。

   本章小结

   本章在对CVD过程进行分析的基础上介绍了CVD工艺的原理及淀积薄膜质量的控制方法。详细介绍了常用的3种CVD工艺方法:APCVD、LPC、①和PECVD,简述了CˇD工艺的发展趋势。对常采用CVD工艺制备的二氧化硅、氮化硅、多晶硅、金属及化合物薄膜的性质、用途和CVD制备方法做了介绍。