物理气相淀积是指利用物理过程实现物质转移,将原子或分子由(靶)源气相转移到衬底表面形成薄膜的过程。 BCM5325MA3KQM忽略气相过程时又称物理淀积。

   PVD相对于CVD而言工艺温度低,衬底温度可以从室温至几百摄氏度范围;工艺原理简单,能用于制备各种薄膜。但是,所制各薄膜的台阶覆盖特性、附着性、致密性不如C、0薄膜。P、0工艺主要用于芯片制作后期的金属类薄膜的制备,如芯片的金属接触电极,互连系统中的金属布线、附着层和阻挡层合金及金属硅化物,以及其他用C、0I艺难以淀积的薄膜等。

   在集成电路制造技术中常用的Pˇ0方法主要有两种:蒸镀(叉称真空蒸镀)和溅射。真空蒸镀是指在高真空环境加热源材料使之气化,源气相转移到达衬底,在衬底表面凝结形成薄膜的工艺方法。真空蒸镀又可以按照对材料源的不同加热方法划分为电阻蒸镀、电子束蒸镀、激光蒸镀等;按照对衬底是否加热划分为冷蒸、热蒸。溅射是在一定的真空环境下电离气体,使之形成等离子体,带正电的气体离子轰击靶阴极.逸溅出的靶原子等粒子气相转移到达衬底表面形成薄膜的工艺方法。溅射通常按照激发气体等离子化的电(磁)场划分为直流溅射、射频溅射、磁控溅射等。如图81所示是两种PVD方法示意图。