真空的获得方法
发布时间:2017/5/21 17:28:18 访问次数:1311
在微电子工艺中不同的工艺方法要求的真空度范围不同,通常将真空度大致划分为四个级别。BCM5751KFBG在不同的真空度范围,气体分子也处于不同的运动状态,这对于具体的工艺过程有重要影响。
大部分工艺设备工作在低真空或中真空度范围。为了获得洁净的工艺环境,真空室在通入工艺气体之前,通常将室内基压抽吸到高真空度或超高真空度范围。如蒸镀工艺,先将真空室的基压抽吸达到高真空度范围,镀膜开始后源材料的蒸发使得真空室的真空度降至中真空度范围;溅射工艺,真空室的基压也多在高真空度范围,通人工艺气体后气体等离子化,继而开始溅射,此时的真空度通常在低、中真空度范围。如表81所示为气体真空度划分和气体分子的运动特点。以物理方法抽取真空室气体提高室内真空度的设各称为真空泵,要获取不同的真空度,所采用的真空设各不同。
低、中真空的获得通常采用机械泵。这类泵是通过活塞、叶片或柱塞的机械运动将气体正向移位,其过程可以概括为3个步骤:先是捕捉一定体积的气体,再对所捕捉的气体进行压缩,最后排出气
体。这类泵是通过压缩气体进行工作的,因此叉称为压缩泵。压泵气体出口和人口的压力比值称为压缩比,压缩比是这类真空泵的重要参数。例如,如果排出气体的压力是1atm,压缩比是100:1时,此泵能实现的最低压力是0,01atm(1kPa)。若要在气体入口和出口之间产生更高的压力差,可以用多个压缩泵串联,即多级连接来实现。
在微电子工艺中不同的工艺方法要求的真空度范围不同,通常将真空度大致划分为四个级别。BCM5751KFBG在不同的真空度范围,气体分子也处于不同的运动状态,这对于具体的工艺过程有重要影响。
大部分工艺设备工作在低真空或中真空度范围。为了获得洁净的工艺环境,真空室在通入工艺气体之前,通常将室内基压抽吸到高真空度或超高真空度范围。如蒸镀工艺,先将真空室的基压抽吸达到高真空度范围,镀膜开始后源材料的蒸发使得真空室的真空度降至中真空度范围;溅射工艺,真空室的基压也多在高真空度范围,通人工艺气体后气体等离子化,继而开始溅射,此时的真空度通常在低、中真空度范围。如表81所示为气体真空度划分和气体分子的运动特点。以物理方法抽取真空室气体提高室内真空度的设各称为真空泵,要获取不同的真空度,所采用的真空设各不同。
低、中真空的获得通常采用机械泵。这类泵是通过活塞、叶片或柱塞的机械运动将气体正向移位,其过程可以概括为3个步骤:先是捕捉一定体积的气体,再对所捕捉的气体进行压缩,最后排出气
体。这类泵是通过压缩气体进行工作的,因此叉称为压缩泵。压泵气体出口和人口的压力比值称为压缩比,压缩比是这类真空泵的重要参数。例如,如果排出气体的压力是1atm,压缩比是100:1时,此泵能实现的最低压力是0,01atm(1kPa)。若要在气体入口和出口之间产生更高的压力差,可以用多个压缩泵串联,即多级连接来实现。
上一篇:真空系统及真空的获得
上一篇:旋转叶片式机械泵的剖视
热门点击
- 菲克(Fick)第一扩散定律
- 测量光学系统实际分辨率的鉴别率板
- 界面陷阱电荷
- 氮化硅无论是晶格常数还是热膨胀系数与硅的失配
- 离子注入与热扩散比较及掺杂新技术
- 磷扩散
- 固溶体主要可分为两类
- 晶面通过一系列称为米勒指数的三个数字组合来表
- 二氧化硅薄膜的结构缺陷主要是氧化层错
- 扩散和离子注入掺磷多晶硅的电阻率曲线
推荐技术资料
- 泰克新发布的DSA830
- 泰克新发布的DSA8300在一台仪器中同时实现时域和频域分析,DS... [详细]