多晶硅薄膜厚度在nm或um数量级,通常为几十nm,而杂质在晶界中的快速扩散,使得杂ACT8601QJ318-T质在多晶硅薄膜中的扩散速率很快。扩散掺杂的缺点是工艺温度较高,而晶粒粒度随着衬底温度升高而增大,由此增加了薄膜表面的粗糙度。扩散和离子注人掺磷多晶硅的电阻率曲线如图732所示。

   目前,重掺杂多晶硅的杂质为砷或硼时,极限电阻率约为2×103Ω・cm;而杂质为磷时极限电阻率更低,约为0,05×106Ω・cm,这个值基本代表了多晶硅电阻率的极限。薄膜淀积之后的离子注人掺杂或扩散掺杂对多晶硅微观结构和形貌,特别是晶粒粒度的大小也有重要的影响。m0多晶硅可以用离子注入,固态或液态(如K¤3)扩散,以及添加法进行N←掺杂。以LPCXID方法制各本征多晶硅薄膜,再以扩散方法掺杂得到的多晶硅薄膜的电阻率通常低于1Ω・CM。