蒸发速率
发布时间:2017/5/22 19:49:58 访问次数:1676
蒸发速率也对薄膜质量有重要影响。提高源的蒸发速率,有利于减少真空室残余气体对源蒸气和衬底表面的碰撞,能提高所淀积薄膜的纯度和与衬底的结合力,L7805ABV以及表面质量。但是,如果蒸发速率过快,蒸气原子气相输运中的相互碰撞会加剧,动能就有所降低,甚至会引起蒸气原子气相结团后再淀积,这将导致出现薄膜表面不平坦等质量问题。由于源的平衡蒸气压是随着加热温度上升而快速增加的,因此影响源蒸发速率的主要因素是加热温度和蒸发面积。蒸发源的加热温度是由加热器功率决定的,因此加热方式也会带来影响。通常蒸镀时通过控制加热器功率使源的蒸气压在1~10Pa范围变化。
实际上,采用蒸镀工艺制备薄膜时,必须考虑薄膜的具体应用需求。例如,要求薄膜的纯度高,而影响薄膜纯净度特性的主要因素为真空室基压、加热方式和蒸镀工艺操作中挡板打开、关断时间等;要求薄膜与衬底黏附牢固,对此特性带来影响的主要因素为衬底加热温度和蒸发速率等。因此,应综合考虑多方面因素来确定蒸镀薄膜工艺控制方法和条件,从而获得满足质量要求的薄膜。
蒸发速率也对薄膜质量有重要影响。提高源的蒸发速率,有利于减少真空室残余气体对源蒸气和衬底表面的碰撞,能提高所淀积薄膜的纯度和与衬底的结合力,L7805ABV以及表面质量。但是,如果蒸发速率过快,蒸气原子气相输运中的相互碰撞会加剧,动能就有所降低,甚至会引起蒸气原子气相结团后再淀积,这将导致出现薄膜表面不平坦等质量问题。由于源的平衡蒸气压是随着加热温度上升而快速增加的,因此影响源蒸发速率的主要因素是加热温度和蒸发面积。蒸发源的加热温度是由加热器功率决定的,因此加热方式也会带来影响。通常蒸镀时通过控制加热器功率使源的蒸气压在1~10Pa范围变化。
实际上,采用蒸镀工艺制备薄膜时,必须考虑薄膜的具体应用需求。例如,要求薄膜的纯度高,而影响薄膜纯净度特性的主要因素为真空室基压、加热方式和蒸镀工艺操作中挡板打开、关断时间等;要求薄膜与衬底黏附牢固,对此特性带来影响的主要因素为衬底加热温度和蒸发速率等。因此,应综合考虑多方面因素来确定蒸镀薄膜工艺控制方法和条件,从而获得满足质量要求的薄膜。
上一篇:等离子体产生过程
热门点击
- 菲克(Fick)第一扩散定律
- 测量光学系统实际分辨率的鉴别率板
- 界面陷阱电荷
- 氮化硅无论是晶格常数还是热膨胀系数与硅的失配
- 离子注入与热扩散比较及掺杂新技术
- 磷扩散
- 固溶体主要可分为两类
- 晶面通过一系列称为米勒指数的三个数字组合来表
- 二氧化硅薄膜的结构缺陷主要是氧化层错
- 扩散和离子注入掺磷多晶硅的电阻率曲线
推荐技术资料
- 泰克新发布的DSA830
- 泰克新发布的DSA8300在一台仪器中同时实现时域和频域分析,DS... [详细]