- PCB设计与EMC2017/6/5 19:38:22 2017/6/5 19:38:22
- PCB设计与EMC:无论设备产生电磁干扰发射还是受到外界干扰的影响,或者电C0603C103K5RAC3083路之间产生相互干扰,PCB都是问题的核心,无论是PCB中的器件布局,还是PCB中线路...[全文]
- 离子注人降低MOS管阈值电压2017/6/4 18:59:40 2017/6/4 18:59:40
- 对MOS管来说,阈值电压(VT)可定义为使硅表面处在强反型状态下所必需的栅压。栅电极可控范围是它下面极薄的沟道区,注人杂质可看做全包含在耗尽层内。FGH50T65UPD在芯片制造中,n沟道耗尽型...[全文]
- 工艺设备与工艺条件2017/6/3 23:03:40 2017/6/3 23:03:40
- （1）工艺设各:双管3英寸高温扩散炉,sZ82型四探针电阻测试仪,源瓶,控温仪,气体流量计,石英的NaOH,定影液可使用超纯水。配0,5%的NaOH待用。TAS5414ATDKDMQ1...[全文]
- 分析测量误差的来源2017/6/3 23:01:47 2017/6/3 23:01:47
- (l)分析测量误差的来源。(2)光学干涉法测量薄膜厚度的极限精度能达到多少?光刻腐蚀基区光刻腐蚀是一种复印图像同化学腐蚀相结合的综合技术。在此,光刻是将...[全文]
- 清洗原理2017/6/3 22:47:23 2017/6/3 22:47:23
- 硅片清洗是通过物理或化学方法去除吸附在表面的沾污杂质,露出硅本底。硅表面TA78L09F原子是非平衡态原子,存在未饱和的悬挂键,从而“吸附”与其接触的杂质粒子,而被吸附的粒子也不是固定不动的,而...[全文]
- CMOS电路中的短路情况2017/6/2 22:06:34 2017/6/2 22:06:34
- CMOS电路中的短路情况,可能会造成某一状态下到地的一条通路,例如,图14-15(a)中的飞管短路,当输人向量为01时,Tl、T.、飞就构成了Ⅵx)至地的通路,VEJ221M1VTT-1010L...[全文]
- 数宇电路测试方法2017/6/2 21:59:22 2017/6/2 21:59:22
- 前面讨论过,数字电路的测试分为直流特性测试、交流特性测试和逻辑功能测试等,其中逻辑VEJ221M0JTR-0606功能测试由于电路规模的不断增大、结构日益复杂,在测试时间和成本的要求下,成为逻辑...[全文]
- 系统级封装技术 单级集成模块(SLIM)2017/6/1 21:07:18 2017/6/1 21:07:18
- 谈到系统级封装(SIP或Ⅸ)P),不能不提及系统级芯片(SoC)。SoC是沿着晶体管→S⒏一M⒏9L⒊→VLSI→SoC之路发展的,简言之,№C走的是单片集成的发展之路;而⒏P/SOP则是沿着厚...[全文]
- 杂质分布测量2017/5/31 21:54:28 2017/5/31 21:54:28
- (1)阳极氧化剥层的微分电导法一种传统方法,也是被M51-A230XG认为精度最高的方法。是在样品上逐次阳极氧化一剥层(用HF腐蚀掉阳极氧化层)一测量薄层电阻,直到pn结边界为止(...[全文]
- 工艺过程检测内容包括硅与其他辅助材料检测和工艺检测两大部分2017/5/31 21:22:47 2017/5/31 21:22:47
- 工艺过程检测内容包括硅与其他辅助材料检测和工艺检测两大部分。(1)材料检测材料主要有高纯水、高纯气体、扩散源、硅抛光片M28C64-15等,在材料使用前进行质检,在工...[全文]
- 多晶硅在双极型电路中的应用2017/5/31 21:18:12 2017/5/31 21:18:12
- 随着双极型集成电路的发展,为了进M2006C一步提高电流增益,提高截止频率,大量地采用了MOS集成电路中的新工艺,如在双极型集成电路中用到多个多晶硅工艺技术。多晶硅发射极...[全文]
- 双极型集成电路工艺流程2017/5/30 12:39:57 2017/5/30 12:39:57
- 早期的平面双极型集成电路主要采用反偏pn结隔离的标准埋层双极型晶体管,收集区扩P082ABD8散隔离双极型晶体管,以及三重扩散层双极型晶体管。如图12-22所示为双极型集成电路中晶体管的结构示意...[全文]
- 晕圈反型杂质掺杂结构和大角度注入反型杂质掺杂结构2017/5/30 12:20:07 2017/5/30 12:20:07
- 晕圈反型杂质掺杂结构和大角度注入反型杂质掺杂结构S/D延伸区的结深不但要求纵向结浅,PAM3101AAA330也要求横向杂质扩散小,以更好地改善短沟道效应和抑制吖D穿通效应。为此,...[全文]
- 互连材料是指将同一芯片内的各个独立的元器件连接2017/5/29 17:06:20 2017/5/29 17:06:20
- 互连材料是指将同一芯片内的各个独立的元器件连接成为具有一定功能的电路模块;接触材ICS91730AMLFT料是指直接与半导体材料接触的材料.以及提供与外部相连的连接点;MC)sFET栅电极材料作...[全文]
- 干法刻蚀不像湿法刻蚀那样有很高的选择比2017/5/29 16:50:28 2017/5/29 16:50:28
- 干法刻蚀不像湿法刻蚀那样有很高的选择比,过度的刻蚀可能会损伤下一层的材料,因此刻ICL7642ECPD蚀时间就必须准确无误地掌握。另外,机器的情况(如气体流量、温度、被刻蚀材料批次的差异等)不肖...[全文]
- 刻蚀参数 2017/5/28 14:49:58 2017/5/28 14:49:58
- 刻蚀速率刻蚀速率是指在刻蚀过程中去除硅片表面材料的速率,通常用A/min表示。为了提OP291G高产量,希望有高的刻蚀速率。在采用单片工艺的设备中,这是一个很重要的参数。刻蚀速率由...[全文]
- 湿法刻蚀参数 2017/5/28 14:37:20 2017/5/28 14:37:20
- 湿法刻蚀参数如表111所示,在湿法刻蚀过程中必须控制基本的湿法刻蚀参数包括:刻蚀溶液的浓度、刻蚀的时间、反应温度及溶液的搅拌方式等。OB2353CPA由于湿法刻蚀是通过化学反应实现的,所以刻蚀溶...[全文]
- 利用光学邻近效应校正(oPC)技术与移相掩模板对图形进行改善2017/5/25 21:37:18 2017/5/25 21:37:18
- 另一家生产电子束图形发生器的JedI冫td,在⒛05年也推出了针对65nm节点的高端掩模板制造设备JBⅪ3040MV,日前研发的设备也已达到32nm节点所需的描画精度。S29GL128P10TF...[全文]
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