互连材料是指将同一芯片内的各个独立的元器件连接成为具有一定功能的电路模块;接触材ICS91730AMLFT料是指直接与半导体材料接触的材料.以及提供与外部相连的连接点;MC)sFET栅电极材料作为MOSFET器件的一个组成部分,对器件的性能起着重要作用。

   对互连金属材料,首先要求电阻率要小,其次要求易于淀积和刻蚀,还要有好的抗电迁移特性以适应集成电路技术进一步发展的需要。使用最为广泛的互连金属材料是铝,目前在ULSI中铜作为一种新的互连金属材料得到了越来越广泛的运用。

    对于与半导体接触的金属材料,因为直接接触,要有良好的金属/半寻体接触特性,即要有好的接触界面性和稳定性,接触电阻要小,在半导体材料中的扩散系数要小,在后续加工中与半导体材料有好的化学稳定性。另外,该材料的引入不会导致器件失效也是非常重要的。铝是一种常用的接触材料,但目前应用较广泛的接触材料是硅化物,如铂硅(PtSi)和钴硅(CoSi2)等。

     对栅电极材料的主要要求是:与栅氧化层之间具有良好的界面特性和稳定性;具有合适的功函数,以满足nMOs与pMC)S阈值电压对称的要求。在早期nMOs集成电路工艺中,使用较多的是铝栅。由于多晶硅可通过改变掺杂调节功函数,与栅氧化层又具有很好的界面特性,多晶硅栅工艺还具有源漏自对准等待点,使其成为目前CMC)S集成电路I艺技术中最常用的栅电极材料。