微电子芯片的生产实际上是顺次运用不同的单项I艺.最终在硅片上实现所设计图形和电学结构的过程。 ICS557GI-03LFT通常把运用各类T艺技术形成器件和电路结构的制造过程称为I艺集成。在前面各章节中所介绍的单项工艺基础上,本章介绍金属化与多层互连、CMOS集成电路工艺、双极型集成电路工艺。而兼顾双极型器件和CM(E器件性能的⒏CMOS集成电路也是常用的集成电路,BlCMOS电路工艺是在CMOS工艺和双极电路工艺基础上发展起来的,l9xl此就不做介绍。

   金属化与多层互连

   完成器件结构之后,在硅片上得到大量相互隔离(分立器件不需要隔离)且互不连接的元器件,下一步就是要用导电金属为分立器件制作内电极,而对集成电路是将这些相互无关、各自独立的元器件连接起来,以构成一个完整的集成电路。通常把金属及金属性材料在微电子器件中应用的工艺过程称为金属化。依据在微电子器件中的功能划分,金属化材料可分为三大类:互连材料、接触材料及MOSFET栅电极材料。