ICPR的结构如图118所示,在反应器上方有一介电层窗,其上方有螺旋缠绕的线圈,通过此感应线圈在介电层窗下产生等离子体。等离子体产生的位置与晶片之问只有几个平均自由程的距离,故只有少量的等离子体密度损失,ICL7621DCBA可获得高密度的等离子体。

    螺旋波等离子体刻蚀机的结构如图119所示,它有两个腔:上面是由石英制成的等离子体来源腔;下面是刻蚀腔。等离子体来源腔外面包围了一个单圈或双圈的天线,用以激发13.56MHz的横向电磁波。另外在石英腔外围绕有两组线圈,用以产生纵向磁场,并与上面所提的横向电磁波耦合产生共振,形成所谓的螺旋波。当螺旋 波的波长与天线的长度相同时,便可产生共振。采用这种方式,电波可将能量完全传给电子,从而获得高密度的等离子体。然后等离子体扩散到刻蚀腔中,离子可被刻蚀腔中外加的RF偏压加速,从而获得较高的离子轰击能量。等离子体扩散腔外围绕着大小相等、方向相反的永久磁铁,目的在于避免离子或电子撞击在腔壁上。