由硅的晶格结构及晶向、晶面特点可知,在E111彐晶向,原子分布最为不均匀,存在原G911T24子双层密排面(111)。双层密排面自身原子间距离最近,相比其他晶面结合最为牢固,晶面能也最低,化学腐蚀就比较困难和缓慢,所以腐蚀后容易暴露在表面,而在晶体生长过程中有使晶体表面成为{111}晶面的趋势。相反,两层双层密排面之间的相邻原子距离最远,面间相互结合脆弱,晶格缺陷容易在这里形成和扩展,而在外力作用下,硅晶体很容易沿着"11}晶面劈裂,这种易劈裂的晶面称为晶体的解理面。

   硅晶体的不同晶面、晶向性质有所差异,因此,集成电路工艺是基于不同产品特性采用不同晶面的硅片作为衬底材料。

   硅的解理面(111)面为天然易劈裂面,由硅片劈裂形状也能判断出硅片的晶面。在(100)面上,(100)面与(111)面相交成呈90°角,因此(100)面硅片劈裂时裂纹呈矩形形状;而(111)面和其他(111)面相交呈60°角,因此(111)面硅片劈裂时裂纹呈三角形形状。