早期的平面双极型集成电路主要采用反偏pn结隔离的标准埋层双极型晶体管,收集区扩 P082ABD8散隔离双极型晶体管,以及三重扩散层双极型晶体管。如图12-22所示为双极型集成电路中晶体管的结构示意图。

   图1222 双极型集成电路中晶体管的结构示意图

   在这三种电路中最为常用的是标准埋层双极型电路。标准埋层双极型电路的衬底通常采用轻掺杂的p型硅,掺杂浓度一般在10:atoms∷cm3数量级。掺杂浓度低,可减小收集结的结电容,并提高收集结的击穿电压。但掺杂浓度过低会在后续工艺中使埋层下推过多。过去为了减少外延层的缺陷,通常选用偏离2°~5°的(111)晶向。但是目前为了和CMOS工艺兼容,都选用了标准的(100)晶向。其工艺流程(如图1223所示)如下。