（1）工艺设各:双管3英寸高温扩散炉,sZ82型四探针电阻测试仪,源瓶,控温仪,气体流量计,石英的NaOH,定影液可使用超纯水。配0,5%的NaOH待用。 TAS5414ATDKDMQ1

   (2)从氧化炉取出硅片直接放人烘箱干燥,约120℃、3o min。

   (3)旋转涂胶,掌握好转速,约每分钟300O00转。

   (4)前烘,约90℃、10min。

   (5)开光刻机,检察光刻版图形,准备光刻。

   (6)安放光刻版,将涂好光刻胶的硅片放人光刻机,对准晶向,进行曝光,约40s。

   (7)取出硅片,进行显影,曝光后,受光照部分的正胶发生光化学反应,在显影过程中溶入显影液,只有未曝光部分的正胶保留,因此,胶膜显现出与光刻版相同的图形;然后,用金相显微镜观察胶膜图形,如合格就进行定影。

   (8)将定影后的硅片放人烘箱进行后烘(又称坚膜),约140℃、30min。

   (9)腐蚀氧化层,将未被光刻胶保护的Sl02层腐蚀掉,露出基区硅表面。

   (10)去胶,用98%的浓硫酸煮沸硅片,去除SK)2层上的光刻胶膜,基区光刻全部完成。