在显影之后,氧化层腐蚀之后及去胶之后都要进行镜检,即检查光刻胶图形是否合格,如发现TAS5414ATDKDQ1图形不准、浮胶、钻蚀、划痕、小岛、针孔及严重的边缘不齐等现象,则图形不合格,必须返工。然后,找出不合格的可能因素,微调工艺条件。

   思考题

   (1)一次光刻为什么要对准晶向,在后面二、三、四次光刻时却进行对版,为什么?

   (2)比较接触式和非接触式曝光的优缺点。

   (3)比较负胶、正胶光刻的分辨率高低,以及其图形有何不同?

   (4)从硅片出炉到涂胶这中间应特别注意什么问题?如果硅片出炉后不能立即涂胶,硅片应如何处理?

   (5)光刻版图形缺陷、版面污物曝光时掩膜版铬膜的朝向会对光刻有什么影响?

   (6)产生浮胶、钻蚀的可能原因是什么?如何解决?

   (7)小岛、针孔、锯齿等光刻缺陷是怎样产生的?它们对晶体管性能产生什么影响?为什么说一次光刻(光刻基区)日寸,出现小岛的可能性最大?

   (8)曝光时间主要依据什么条件而定?时间过长或过短会产生什么现象?为什么?