在双极型晶体管中,硼扩散的目的是形成集电结和一定杂质分布的基区。硼扩散TAS5704PAP采用固态氮化硼陶瓷源,开管两步式扩散工艺,两步扩散之间漂硼硅玻璃。

   第一步扩散――预淀积,在较低温度氮气保护下,采用恒定源扩散方式将硼源扩散到基区光刻窗口表层;

   第二步扩散――再分布,采用限定源的扩散方式,在氧气气氛条件下,将基区光刻窗口表层硼杂质推进到内部,达到基区结深,同时在基区窗口生长热氧化层,作为发射区磷扩散的掩膜。

   工艺设备与工艺条件

   工艺设各:双管3英寸高温扩散炉,sZ82型四探针电阻测试仪,源瓶,控温仪,气体流量计,石英舟,氧气瓶,氮气瓶。

   试剂:氮化硼陶瓷源片(BN),硅胶干燥剂,分析纯HF。

   硼源活化:炉温975℃,氧气流量为1I∥min,时间约⒛min。

   预淀积:炉温975℃,氮气流量为0.5L/min,时间在15~2o min。

   再分布:炉温1170℃,氧气流量为lI'/nlln,湿氧水温98℃,时问为511・1n十氧-40min湿氧→10min干氧。