对MOS管来说,阈值电压(VT)可定义为使硅表面处在强反型状态下所必需的栅压。栅电极 RF7307TR13可控范围是它下面极薄的沟道区,注人杂质可看做全包含在耗尽层内。在芯片制造中,n沟道耗尽型MOSFET容易制造,而且n沟道增强型的阈值电压可以做得较低。但对于p沟道来说,用普通工艺制造耗尽型MOSFET就不那么容易了,且对于p沟道增强型MOS管来说,降低MOSFET的阈值电压也较困难。

   能够降低许值的方法很多,但每一种工艺本身都有一定的限制,不可能任意控制Vl值。离子注人降低MOS管阈值电压(如图633所示)的工艺简单易行――-在栅氧化膜形成之后,通过薄的栅氧化层进行沟道区域低剂量注人,然后经过适当退火便能达到目的。