刻蚀速率

   刻蚀速率是指在刻蚀过程中去除硅片表面材料的速率,通常用A/min表示。为了提OP291G高产量,希望有高的刻蚀速率。在采用单片工艺的设备中,这是一个很重要的参数。刻蚀速率由工艺和设备变量决定,如被刻蚀材料类型、刻蚀机的结构配置、使用的刻蚀气体和△艺参数设置等。

   T为去掉的材料厚度(A或um);r为刻蚀所用的时间(血ll,。

刻蚀速率通常正比于刻蚀剂的浓度。硅片表面几何形状等因素能影响硅片与硅片之间的刻蚀速率。要刻蚀硅片表面的大面积区域,则会耗尽刻蚀剂浓度使刻蚀速率慢下来;如果刻蚀的面积比较、则刻蚀就会快些,这称为负载效应。刻蚀速率的减小是由于在等离子体刻蚀反应过程中会消耗大部分的气相刻蚀剂。由于负载效应带来的刻蚀速率的变化是使有效的终点检测变得非常重要的最主要原因。影响刻蚀速率的主要因素包括:离子能量和人射角、气体成分、气体流速和其它影响因素等。