IC中采用最多的刻蚀方法是结合物理性的离子轰击与化学反应的刻蚀,又称为反应离子刻蚀(Reac・tlx/e Ion Etcslling,RIE),实际是离子辅助刻蚀。 OP27GS设备特点是被刻蚀衬底放置在功率电极上。这种方式兼具非等向性与高刻蚀选择比的双重优点。刻蚀的进行主要靠化学反应来实现,加人离子轰击的作用有二:①破坏被刻蚀材质表面的化学键以提高反应速率;②将二次沉积在被刻蚀薄膜表面的产物或聚合物打掉,以使被刻蚀表面能充分与刻蚀气体接触。由于在表面的二次沉积物可被离子打掉,而在侧壁上的二次沉积物未受到离子的轰击,可以保留下来阻隔刻蚀表面与反应气体的接触,使得侧壁不受刻蚀,所以采用这种方式可以获得各向异性的刻蚀。RIE刻蚀特点:保真度优于化学性刻蚀,但不如物理性刻蚀;选择比优于物理性刻蚀。但不如化学性刻蚀;RIE刻蚀后在衬底上留有残余损伤。

   应用干法刻蚀时,主要应注意刻蚀速率、均匀度、选择比及刻蚀轮廓等。刻蚀速率越快,则设备的产能越大,有助于降低成本。刻蚀速率通常可利用气体的种类、流量、等离子体源及偏压功率控制,在其他因素尚可接受的条件下越快越好。均匀度是表征硅片上不同位置刻蚀速率差异的一个指标,较好的均匀度意味着硅片有较好的刻蚀速率和优良成品率。硅片从3英寸、4英寸发展到12英寸,面积越来越大,所以均匀度的控制就显得越来越重要。选择比是被刻蚀薄膜刻蚀速率与掩膜或底层的刻蚀速率的比值。选择比的控制通常与气体种类、比例、等离子的偏压功率、反应温度等有关系。至于刻蚀轮廓,一般而言越接近90°越好,只有在少数特例中,如在接触孔或走线孔的制作中,为了使后续金属溅镀工艺能有较好的阶梯覆盖能力而故意使其刻蚀轮廓小于90°。通常,刻蚀轮廓可利用气体的种类、比例和偏压功率等方面的调节进行控制。表11习为各种干法刻蚀方法比较。