随着双极型集成电路的发展,为了进M2006C一步提高电流增益,提高截止频率,大量地采用了MOS集成电路中的新工艺,如在双极型集成电路中用到多个多晶硅工艺技术。

   多晶硅发射极

   采用多晶硅形成发射区接触可以大大改善晶体管的电流增益和缩小器件的纵向尺寸,获得更浅的发射结。

    多晶硅发射极技术是在发射区上直接淀积一层多晶硅,并对多晶硅进行掺杂和退火,使杂质扩散到单晶硅形成发射区,而且把这层多晶硅留下作为发射区的接触。这样形成的发射区深度约为200nm,基区深度在100nm左右。这类双极型晶体管的电流增益通常比常规双极型晶体管高3~7倍,并且具有更高的截止频率(17~30GHz)和更低的门延迟(5o ps)。

   多晶硅发射极技术的作用在于控制单晶硅发射区表面的有效复合速率S。。采用金属接触的发射区S。非常大,在105cm/s量级。其结果是,随着发射区厚度减小,基区电流增加。实验发现,多晶 硅扩散形成的发射区的表面复合速率较低,基极电流较小。多晶硅发射区的S。值的大小依赖于具体的工艺条件,特别是依赖于单晶和多晶硅界面处⒏O2的厚度。 LOC攵)s  si。2的厚度由淀积多晶硅之前的HF漂洗、随后的热处理和氢钝化表面在氧气氛中的暴露、多晶硅淀积之后的热处理等因素决定。制备器件时需要很好地控制这层氧热氧化稠 化层的厚度。如果氧化层太厚,则发射极接触的串联电瑞硅暹譬↑;如果氧化层的厚度过薄,则电流增益仍然无法提高。