晕圈反型杂质掺杂结构和大角度注入反型杂质掺杂结构

   S/D延伸区的结深不但要求纵向结浅,PAM3101AAA330也要求横向杂质扩散小,以更好地改善短沟道效应和抑制吖D穿通效应。为此,有了晕圈反型杂质掺杂结构(Hdo注人)和大角度注入反型杂质掺杂结构(Pocl【et注人)。Halo注人掺杂实为双注人LDD结构,n LDD区周围环绕一个盯区(I1alo区),p区周围环绕一个n区(Hdo区)。Pocl【ct注入掺杂实为大角度倾斜旋转注入,一般以多晶硅栅和吖D做自对准掩蔽。它比Hdo注人有更小的结电容,有利于速度的改善。因为它只环绕LDD区和吖D区邻接处,这样不增加nˉ和p-D区下的杂质浓度。

   CMOs电路工艺流程

   CMOS工艺是当今各类集成电路制作技术的核心,由它可衍生出不同的工艺。图12△5所示为CM(B工艺集成和对应变化。标准的CMOS工艺主要应用于高性能、低功耗的数字集成电路。如果“CMOS+浮栅”,标准CMOS工艺就转化为M(,~S可擦写存储器工艺。