- 具体操作步骤2017/6/4 18:44:01 2017/6/4 18:44:01
- 具体操作步骤(1)将选出的合格管心,顺次用FGH25T120SMD_F155甲苯、丙酮、无水乙醇超声波清洗5min,再用无水乙醇漂净,放在烘箱中100℃烘干。注意:超声波功率应设置...[全文]
- 上架烧结 2017/6/4 18:42:15 2017/6/4 18:42:15
- 上架烧结是将管心安装在管座上,晶体管集电极是由硅衬底引出的,管心应与管座有良好的电连接。FGH25N120FTDS通常使用导电浆料将管心黏结在管座上,再经烧结,导电浆料还原,在管J心与管座之间形...[全文]
- 模拟电路参数测试2017/6/2 22:14:45 2017/6/2 22:14:45
- 纯模拟电路通常包括放大器(特别是运算放大器)、稳压器、晶振(特别是压控晶振)、比较器、锁相环、取样保持电路、模拟乘法器、模拟滤波器等。VES100M1C0405-TR0数模转换器、模数转换器也可...[全文]
- 以典型的双阱CMOS反相器为例介绍CMOS工艺流程2017/5/30 12:23:45 2017/5/30 12:23:45
- 以典型的双阱CMOS反相器为例介绍CMOS工艺流程。在生产中可用n型单晶硅,PAM3101DAB180也可以用p型单晶硅作为衬底。选择不同导电类型的衬底材料,其制造工艺是不完全相同的,但原理是相...[全文]
- 设备特点是被刻蚀衬底放置在功率电极上2017/5/28 14:47:52 2017/5/28 14:47:52
- IC中采用最多的刻蚀方法是结合物理性的离子轰击与化学反应的刻蚀,又称为反应离子刻蚀(Reac・tlx/eIonEtcslling,RIE),实际是离子辅助刻蚀。OP27GS设备特点...[全文]
- 酸性锌接角虫刻蚀2017/5/28 14:43:33 2017/5/28 14:43:33
- 刻蚀前用锌块划破铬版表面,锌与稀硫ON5088酸立即产生活泼的氢原子,还原铬表面的氧化膜,紧接着活泼的铬与硫酸反应,铬层就能迅速被刻蚀掉。化学反应方程式为2Cr+3H...[全文]
- 硅的湿法刻蚀2017/5/28 14:39:23 2017/5/28 14:39:23
- 在湿法刻蚀硅的各种方法中,大多数OB2535CPA都是采用强氧化剂对硅进行氧化然后利用氢氟酸(HF)与⒊o反应来去掉硅,从而达到对硅的刻蚀目的c最常用的刻蚀溶剂是硝酸(HN03)与氢氟酸(HD和...[全文]
- 设备高价格化2017/5/27 20:57:04 2017/5/27 20:57:04
- 建一座200mm的硅片工厂需投资10~15亿美元,建一座30omm的硅片工厂需投资20~30亿美元,其中设各投资占60%~80%。单台光刻设备的销售价格也是越来越高。M93C66-MN6T如⒛0...[全文]
- 纳米压印光刻技术实质上是将传统的模具复型原理应用到微观制造领域中2017/5/27 20:28:47 2017/5/27 20:28:47
- 纳米压印光刻技术实质上是将传统的模具复型原理应用到微观制造领域中。NⅡ'图形的转移是通过模具下压导致抗蚀剂流动并填充到模具表面特征图形中的,H27UBG8T2ATR-BC随后增大模具下压载荷致使...[全文]
- 提高1931m ArF浸入式光刻机NA的方案 2017/5/27 20:24:33 2017/5/27 20:24:33
- 从光刻系统分辨率式(9△)可知,减小曝光光源的波长并增加投影透镜的NA都可以提高分辨率。H27S2G8F2CFR-BI自从193nm波长成为主攻方向以后,增大NA成为了业界人士孜孜不倦的追求。表...[全文]
- 铬膜质量2017/5/25 21:18:25 2017/5/25 21:18:25
- (1)膜厚一般铬膜厚度控制在100nm左右。通常是ACT212利用透光量随膜厚的变化这一特点来控制其厚度的,生产时通过钟罩窗口观察透过铬层的白炽灯丝的亮度,当呈咖啡色时即可。只要在...[全文]
- 半导体技术经过半个多世纪的发展,2017/5/23 21:33:45 2017/5/23 21:33:45
- 这一单元包括三方面内容:第9章光刻工艺,介绍硅片上薄膜图形复制工艺;第10章光刻技术,PMBS3906介绍光刻工艺所用光刻版、光刻胶、光刻设备及光刻技术发展趋势;第11章刻蚀,介绍干法和湿法薄膜...[全文]
- 真空蒸镀工艺的薄膜保形性会有所改善2017/5/22 19:48:56 2017/5/22 19:48:56
- 对于衬底旋转,除了可以改善衬底的高形貌差投射出阴影区的薄膜覆盖问题之外,还可以改善所L6562DTR(LF)淀积薄膜厚度的均匀性。在8,3.1节对源气相输运过程进行分析中曾得出,假如蒸镀源与各衬...[全文]
- 电感加热器2017/5/21 18:15:47 2017/5/21 18:15:47
- 电感加热器。它是利OP497G用电感在导电的金属源中产生的涡流电功率来对源加热的。电感加热器示意图如图⒏13所示,一般由氮化硼(BN)制成坩埚,金属线圈绕在坩埚上,在这个线圈上加载射频功率,坩埚...[全文]
- 金属化合物的化学气相淀积2017/5/20 22:13:03 2017/5/20 22:13:03
- 在集成电路制造中用到多种金属化合物薄膜,例如,在多晶硅/难熔金属硅化物(Polyode)多层栅结构中应用的金属硅化物,如WSi、TaSi和MoS等;AD9258BCPZ-80在金属多层互连系统中...[全文]
- 多晶硅薄膜在微电子工艺中有许多重要应用2017/5/20 21:39:35 2017/5/20 21:39:35
- 基于以上特点,多晶硅薄膜在微电子工艺中有许多重要应用。高掺杂的多晶硅薄膜在MOS集成电路中普遍作为栅电极和互连引线。ACT4455YH-T在多层互连工艺中,可以使用多层多晶硅技术,并且可以在多晶...[全文]
- 淀积磷硅玻璃的反应气体中再掺入硼源2017/5/19 21:35:45 2017/5/19 21:35:45
- 学淀积磷硅玻璃的反应气体中再掺入硼源，可以形成B:03元氧化物薄膜系统,即CVDPSG。BPSG较PSG有更低的软化温度。BPSG的流动性取决于薄膜的组分、退火工K4B1G1646E-HCK0艺...[全文]
- CVD工艺原理 2017/5/18 21:17:31 2017/5/18 21:17:31
- 采用CVD工艺制备薄膜时,源是以气相方式被输运到反应器内,由于衬底高温或有其他形式能量的激发,OMAPL138BZWT3源发生化学反应,生成固态的薄膜物质淀积在衬底表面形成薄膜;而生成的其他副产...[全文]
- CDV是制备薄膜的一种常规方法2017/5/18 21:11:40 2017/5/18 21:11:40
- CDV是制备薄膜的一种常规方法,当前,在微电子I艺中已经采用和发展了多种C、⑩工艺技术。实际上CVD工艺与第3章外延工艺中介绍的气相外延工艺相似,OMAPL137BZKBA3有些具体方法及I艺设...[全文]
- 注氧隔离(sIMOX)技术2017/5/17 21:40:28 2017/5/17 21:40:28
- soi片的制作,可采用向⒏中离子注入O+工艺,通过退火获得⒏02层,这种工艺称为⒏MC)X(Scparau∞”Imphntedhref="http://www.51dzw.com/RLT_S/R...[全文]
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