在湿法刻蚀硅的各种方法中,大多数OB2535CPA都是采用强氧化剂对硅进行氧化然后利用氢氟酸(HF)与⒊o反应来去掉硅,从而达到对硅的刻蚀目的c最常用的刻蚀溶剂是硝酸(HN03)与氢氟酸(HD和水(或醋酸)的混合液。

    反应生成的H2SiF6可溶于水。在腐蚀液中,加人醋酸(CH3CoOH)可以抑制硝酸的分解,从而使硝酸的浓度维持在较高的水平。对于HRHNC,混合的腐蚀液,当HF的浓度高而HNo3的浓度低时,硅的刻蚀速率由HNO3浓度决定,硅的刻蚀速率基本上与HF浓度无关,因为这时有足量的HF去溶解反应中所生成的⒏o2。当HF的浓度低而HNO3浓度高时,s的刻蚀速率取决于HF的浓度,即取决于HF溶解反应生成的⒊02的能力。

   此外,也可以用含K()H的溶液来进行⒏的刻蚀,化学反应方程式如式(1⒈2)所示。这种溶液对⒏(100)面的刻蚀速率比(111)面快了许多,如图111所示,所以刻蚀后的轮廓将成为V形的沟渠状。不过这种湿法刻蚀大多用在微机械器件的制造上,在传统的℃I艺上并不多见。其化学反应方程式如下所示。