CDV是制备薄膜的一种常规方法,当前,在微电子I艺中已经采用和发展了多种C、⑩工艺技术。实际上CVD工艺与第3章外延工艺中介绍的气相外延工艺相似,OMAPL137BZKBA3有些具体方法及I艺设各可以通用。外延生长获得的是单晶薄膜,通常衬底也必须是单晶材料.要求有严格的工艺条件;而淀积薄膜得到的是非晶态或者多晶态薄膜,衬底不要求一定是单晶材料,只要衬底具有一定的平整度,能够经受淀积工艺温度(淀积工艺温度远低于外延工艺温度),其他工艺条件的控制也没有气相外延要求的那么精确。另外,o冫0I艺制备的薄膜和热氧化工艺制备的二氧化硅薄膜也有很大不同。通过CDV艺制各薄膜时,所有的薄膜成分都是由外部以气相方式带人反应器中,而不像热氧化工艺制备的二氧化硅薄膜中的硅成分来自衬底本身。

    CDV的多种工艺方法可以按照工艺特点、工艺温度、反应室内部压力、反应室器壁的温度和淀积薄膜化学反应的激活方式等进行分类。通常是按照工艺特点进行分类,主要有常压化学气相淀积(APCⅥ⑵、低压化学气相淀积(LPC、0)、等离子增强化学气相淀积(PEC、⑩)、金属有机物化学气相淀积(MOCˇ0)、激光诱导化学气相淀积CDV和微波化学气相淀积(WlWCVD)等。APCˇD的设各与前面提到的常压外延的设各相似,工艺方法接近,在介质薄膜制各中采用的不多。介质薄膜和多晶硅薄膜多采用常规的LPC、0和PECVD方法制各。而MOCVD、LC、0、NlWC、0在传统的微电子工艺中应用不多,都是近年被采用并发展起来的C`0工艺技术。