- 自对准金属栅结构2017/5/17 21:36:14 2017/5/17 21:36:14
- 在采用普通扩散方法制造MOS晶体管的工艺中,都是先形成源区和漏区,再制作栅电极。如图634所示是自对准金属栅结构示意图。RFD14N05LSM在这种工艺中,为了避免光刻所引起的栅与源、栅与漏衔接...[全文]
- 硅材料的热退火特性2017/5/16 21:21:22 2017/5/16 21:21:22
- 把欲退火的晶片,在真空或是在氮、氩等高纯气体的保护下,加热到某一温度进行热处理,由于晶M65847AFP片处于较高温度,原子的振动能增大,因而移动能力加强。可使复杂的埙伤分解为点缺陷或者其他形式...[全文]
- 与靶温的关系2017/5/16 21:14:51 2017/5/16 21:14:51
- 离子注入时的靶温,对晶格损伤的程度和变化有着重要的影响。如果降低注人时靶的温度,空位的迁移率减小,在注人过程中缺陷从损伤区逸出的速率降低,M64084A缺陷的积累率增加,这有利于非晶层的形成。故...[全文]
- 与靶温的关系2017/5/16 21:14:50 2017/5/16 21:14:50
- 离子注入时的靶温,对晶格损伤的程度和变化有着重要的影响。如果降低注人时靶的温度,空位的迁移率减小,在注人过程中缺陷从损伤区逸出的速率降低,M64084A缺陷的积累率增加,这有利于非晶层的形成。故...[全文]
- 离子注人技术可以精确地控制掺杂杂质的数量及深度2017/5/16 21:06:27 2017/5/16 21:06:27
- 离子注人技术可以精确地控制掺杂杂质的数量及深度,但是,在离子注入的过程中,进人靶M62429P内的离子,通过碰撞把能量传递给靶原子核及其电子.不断地损失能量最后停止在靶内某一位置。靶内的原子和电...[全文]
- 硅靶中几种离子的RP、ARP及AR⊥的理论计算值2017/5/15 21:35:29 2017/5/15 21:35:29
- 横向效应指的是注人离子在垂直入射方向的平面内的分布情况。PG127S17考虑窗口边缘处人射离子的浓度分布,假定掩膜窗口宽为杨,在窗口区(一伢,+曰)内,注入离子的剂量是恒定的,在掩膜窗口外的区域...[全文]
- 核阻止本领和电子阻止本领曲线2017/5/15 21:31:08 2017/5/15 21:31:08
- 当人射离子的能量低于图67中与⒍对应的能值时,电子的阻止作用可以忽略不计,靶原子核的阻止作用占主要地位。这时离子经过的路径将如图61(a)所示。PA985C6R由于离子束中各个离子与靶表面原子碰...[全文]
- 离子注人 2017/5/15 21:04:57 2017/5/15 21:04:57
- 自20世纪60年代开始发展起来的离子注人技术(IonInlectlc,nTechnique)是微电子I艺中定域、PA837C04定量掺杂的一种重要方法,其目的是改变半导体的载流子浓度和导电类型,...[全文]
- 横向扩散效应2017/5/14 17:46:42 2017/5/14 17:46:42
- 前面所讨论的都是指杂质垂直于半导体表面进行扩散的一维情况,但是对实际中最常采用的掩蔽扩散而言,显然只有扩散窗口中部区域才可近似为一维扩散,R1131N301D-TR-F对靠近窗口边缘的区域除了垂...[全文]
- 砷在硅中的扩散同时受空位和间隙两种机制控制2017/5/13 19:00:32 2017/5/13 19:00:32
- 图511(b)所示为用锑代替硼的扩散,可见氧化区正下方锑的扩散结深小于保护区下方的扩散结深,说明在氧化过程中锑的扩散被阻滞。MAX8643AETG这是因为控制锑扩散的主要机制是空位。在氧化过程中...[全文]
- 热扩散工艺中影响杂质分布的其他因素 2017/5/13 18:40:28 2017/5/13 18:40:28
- 在集成电路制造过程中,扩散的目的就是向晶体中掺人一定数量的某种杂质,并旦希望掺入的杂质按要求分布。MAX7312ATG+T由于扩散模型本身做F理想化的假设,并且忽略了实际扩散过程中所出现的各种效...[全文]
- 固体中两种基本的原子扩散模型2017/5/13 18:17:52 2017/5/13 18:17:52
- 扩散是一种自然现象,是由物质自身的热运动引起的,运动的结果是使浓度分布趋于均匀。半MAX2308ETI-T导体工艺中的扩散,就正是利用了Fsl体中的扩散现象,使一定种类和一定数量的杂质掺人半导体...[全文]
- HCI氧化还具有明显的吸除有害杂质的作用2017/5/13 18:07:02 2017/5/13 18:07:02
- 大量实验表明,HCI氧化还具有明显的吸除有害杂质的作用。吸除⒊02(包括石英管)中杂质的机理是:Na、Fe、Au等杂质由⒏O2层内扩散到外表面,与Hα形成挥发性的氯化物(如Nacl、F￡圮、...[全文]
- 再分布对硅表面杂质浓度的影响2017/5/12 21:47:50 2017/5/12 21:47:50
- 再分布后的硅表面附近的杂质浓度,只与杂质的分凝系数、杂质在⒊Q中的扩散系数与在硅中扩散系数之比以及氧化速率与杂质的扩散速率之比3个因素有关。OP6180-1-IBAG前两个因素对再分布的影响已经...[全文]
- 杂质在二氧化硅和硅中的扩散速率不同2017/5/12 21:43:22 2017/5/12 21:43:22
- 扩散速率杂质在二氧化硅和硅中的扩散速率不同.热氧化时,将引起s/sQ界面杂质的再分布。ONET8501PBRGTR扩散系数D是描述杂质扩散速率快慢的一个参数,一般情况下,按杂质在陨...[全文]
- 氧化剂分压对氧化速率的影响2017/5/11 22:38:01 2017/5/11 22:38:01
- 氧化剂分压对氧化速率的影响气体中氧化剂的分压对氧化速率也有影响。由抛KRA101S-RTK物型速率常数B的定义,B与氧化剂的分压Pg具有一定的比例关系;但A与氧化剂分压无关,因此线...[全文]
- 温度对氧化速率的影响2017/5/11 22:36:05 2017/5/11 22:36:05
- 氧或水汽在二氧化硅中的溶解、扩散,以及在硅/二氧化硅界面的化学反应速率均是温度的函数。温度对热氧化速率影响很大,高温下、H20扩散和反应均较快,且02略快于H・O,但...[全文]
- 水汽氧化法2017/5/11 22:27:18 2017/5/11 22:27:18
- 水汽氧化是以高纯水蒸气或直接通人氢气与氧气为氧化气氛,生长机理是在高温下,由硅片表KIA7035AF-RTF面的硅原子和水分子反应生成sO?层,其反应式水汽氧化的特点:氧化速率快,在]200℃下...[全文]
- MBE工艺特点2017/5/10 22:23:48 2017/5/10 22:23:48
- MBE是由喷射炉将外延分子(或原子)直接喷射到衬底表面进行外延的,用快门MAX1771CSA可迅速地控制外延生长的开始或停止,因此,由外延工艺可以精确地控制外延层的厚度,能生长极薄的外延层,厚度...[全文]
- 应采用蒸气压低且扩散速率也低的杂质作为埋层杂质2017/5/9 22:05:37 2017/5/9 22:05:37
- 由于杂质再分布现象使得气相外延工艺难以获得理想陡变的杂质分布外延层,限制了LD2981ABU50TR该工艺在薄外延层生长方面的应用。因此,减小进而消除杂质再分布现象一直是气相外延工艺的一个重要研...[全文]
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