离子注入时的靶温,对晶格损伤的程度和变化有着重要的影响。如果降低注人时靶的温度,空位的迁移率减小,在注人过程中缺陷从损伤区逸出的速率降低, M64084A缺陷的积累率增 加,这有利于非晶层的形成。故降低注人温度时,临界剂量随之减小。例如,将r、P`sb÷离子注入硅中,硅靶形成非晶层的临界剂量与靶温的关系曲线如图624所示。由图可以看到,在室温附近,临界剂量与温度的倒数成指数关系,随 鬣10⒖着温度升高,临界剂量增大。在低温,临界剂量趋向一恒定值。如果靶温在室温或室温以下,这时空位的迁移率较低, 唾lθ" 缺陷从畸变区域中逸出的速率较低。由注人离子产生的缺陷就可直接集合而形成稳定的损伤区,这些损伤区的缺陷密度是很高的,可以看成是非晶区。