氧或水汽在二氧化硅中的溶解、扩散,以及在硅/二氧化硅界面的化学反应速率均是温度的函数。

   温度对热氧化速率影响很大,高温下、H20扩散和反应均较快,且02略快于H・O,但是两KPHHS-1005ZGC-V者在二氧化硅中的溶解度相差很大 H20的溶解度约是02的600倍,囚此,水汽热氧化速率远大于干氧 热氧化速率。温度对抛物型速率常数B的影响是通过氧化剂在⒊02中扩散系数D“)产生的。由B的定义可知,B与温度之间也是指数关系。

    图⒋11所示为温度对干/湿氧氧化的抛物型速率常数B的影响测试。图412所示是氧气和水汽在熔融硅石中的扩散系数。干氧氧化时,B的激活能是1.24eV,这个值很接近氧在熔融硅石(类似于热氧化工氧化硅的结构)中的扩散系数的激活能1,17eV。湿氧氧化激活能值为0,71eV,这个值与水汽在熔融硅石中的扩散系数激活能0.79eV基本一致。线性速率常数B/A与温度的关系如图413所示。对于干氧氧化和湿氧氧化都是指数关系,激活能分别为2,0cV和1,96eV。其值接近s一⒊键断裂所需要的1.83eV的能量值,说明支配线性速率常数B/A的主要囚素是化学反应常数与温度的关系其是实验常数,它与单位晶面上能与氧化剂反应的硅价键数成正比c由L述各图中数据可得出在不同氧化气氛下,A、B及B/A值随氧化温度的变化,如表42所示。由图413可见,在三种氧化气氛下,随着温度升高,A值减小,B、B/A值增大。