CVD工艺原理
发布时间:2017/5/18 21:17:31 访问次数:3162
采用CVD工艺制备薄膜时,源是以气相方式被输运到反应器内,由于衬底高温或有其他形式能量的激发,OMAPL138BZWT3源发生化学反应,生成固态的薄膜物质淀积在衬底表面形成薄膜;而生成的其他副产物质是气态,被排出反应器。
薄膜淀积过程
以多晶硅薄膜淀积为例来看薄膜淀积过程。反应剂采用氢气稀释的硅烷作为多晶硅源,总化学反应方程式为CVD系统结构示意图如图⒎1所示。无论是APCVD,PCVD或PECVD还是其他何种CVD方法,淀积过程都可以分解为以下5个基本的连续步骤。
采用CVD工艺制备薄膜时,源是以气相方式被输运到反应器内,由于衬底高温或有其他形式能量的激发,OMAPL138BZWT3源发生化学反应,生成固态的薄膜物质淀积在衬底表面形成薄膜;而生成的其他副产物质是气态,被排出反应器。
薄膜淀积过程
以多晶硅薄膜淀积为例来看薄膜淀积过程。反应剂采用氢气稀释的硅烷作为多晶硅源,总化学反应方程式为CVD系统结构示意图如图⒎1所示。无论是APCVD,PCVD或PECVD还是其他何种CVD方法,淀积过程都可以分解为以下5个基本的连续步骤。
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