注氧隔离(sIMOX)技术
发布时间:2017/5/17 21:40:28 访问次数:3016
soi片的制作,可采用向⒏中离子注入O+工艺,通过退火获得⒏02层,这种工艺称为⒏MC)X(Scparau∞”Imphnted Oxygen)技术,是迄今为止最成熟的制备技术之一。RLT8150L-LF它主要包括两个工艺步骤:①氧离子注人,用以在硅表层下产生一个高浓度的注氧层;②高温退火,使注人的氧与硅反应形成绝缘层。这种方法的主要限制是需要昂贵的大束流注氧专用机,另一个问题是为了消除氧注人损伤,实现表面硅层固相再结晶,形成良好的界面,必须用专用退火炉进行高温长时间退火,因而材料成本较高。⒏MOX技术制成的材料厚度均匀,尤其适于制作超薄型&)I。如图635所示是注氧隔离技术的工艺流程。
soi片的制作,可采用向⒏中离子注入O+工艺,通过退火获得⒏02层,这种工艺称为⒏MC)X(Scparau∞”Imphnted Oxygen)技术,是迄今为止最成熟的制备技术之一。RLT8150L-LF它主要包括两个工艺步骤:①氧离子注人,用以在硅表层下产生一个高浓度的注氧层;②高温退火,使注人的氧与硅反应形成绝缘层。这种方法的主要限制是需要昂贵的大束流注氧专用机,另一个问题是为了消除氧注人损伤,实现表面硅层固相再结晶,形成良好的界面,必须用专用退火炉进行高温长时间退火,因而材料成本较高。⒏MOX技术制成的材料厚度均匀,尤其适于制作超薄型&)I。如图635所示是注氧隔离技术的工艺流程。
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