扩散速率

   杂质在二氧化硅和硅中的扩散速率不同.热氧化时,将引起s/sQ界面杂质的再分布。ONET8501PBRGTR扩散系数D是描述杂质扩散速率快慢的一个参数,一般情况下,按杂质在陨先中扩散速率的快慢叉可分为快扩散杂质和慢扩散杂质。

   界面移动

   热氧化时,界面向硅内部移动,界面移动的速率对s泅Q界面杂质再分布也有影响。界面移动速率取 60 65 70 75 80 85 90 95 决于氧化速率。水汽氧化速率远大于干氧氧化速率。水汽氧化时,⒏/Si(|界面杂质的再分布就远小于干氧氧化。

   图⒋23 在各种不同氧化类型中,硼在  而湿氧氧化速率介于水汽、干氧之间,s/s(九界面杂质的硅中的分凝系数与温度的关系 再分布也介于水汽、干氧之间。