由于杂质再分布现象使得气相外延工艺难以获得理想陡变的杂质分布外延层,限制了LD2981ABU50TR该工艺在薄外延层生长方面的应用。因此,减小进而消除杂质再分布现象一直是气相外延工艺的一个重要研究内容。日前,可以采取以下措施来减小杂质再分布效应的影响。

   ①在保证外延质量和速度的前提下,尽量降低气相外延生长温度。但是,对于杂质砷来说效果不显著,因为砷的自掺杂程度随着外延温度的降低而增强。

   ②对于n型衬底,如果在外延之前需要进行埋层掺杂,应采用蒸气压低且扩散速率也低的杂质作为埋层杂质,如通常使用锑作为埋层掺杂,而不使用蒸气压高的砷和扩散速率较高的磷。

   ③对于重掺杂的衬底,可以使用轻掺杂的硅薄层来密封重掺杂衬底的底面和侧面,进而减少杂质的外逸,使自掺杂程度降低。

   ④进行低压外延,这对抑制自掺杂效应有利。在低压下衬底表面的边界层变薄,衬底外逸的大部分杂质就可以 很快扩散穿越边界层进人主气流区,被主流气体带离反应器,这种方法对砷和磷的抑制效果显著,而对硼的作用不明显。