这一单元包括三方面内容:第9章光刻工艺,介绍硅片上薄膜图形复制工艺;第10章光刻技术,PMBS3906介绍光刻工艺所用光刻版、光刻胶、光刻设备及光刻技术发展趋势;第11章刻蚀,介绍干法和湿法薄膜刻蚀工艺。

   半导体技术经过半个多世纪的发展,现在仍继续遵循摩尔(Moore)定律保持着强劲的发展态势,硅片直径已达300mm,并不断在向450mm迈进。据预测,在新技术推动下到2014年直径将达到遮50mm。大尺寸、细线宽、高精度、高效率、低成本成为IC产品发展的趋势。在半导体制造技术中,最为关键的是用于电路图形生成和复制的光刻技术,光刻技术的研究和开发,在每一代集成电路技术的更新中都扮演着技术先导的角色。光刻技术在整个产品制造中是重要的经济影响因子,光刻成本占据了整个制造成本的35%,光刻也是决定了集成电路按照摩尔定律发展的一个重要原因,如果没有光刻技术的进步,集成电路就不可能从微米进人深亚微米再进人纳米时代。所以说光刻技术的先进程度也就决定了半导体制造技术水平的高低。随着集成度的不断提高,光刻技术也面临着越来越多的难题。