等离子体是如何产生的?PECvd是如何利用等离子体的?

   Si02作为保护膜时为什么需要采用低温工艺?目前低温⒊02工艺有哪些方法?它们降PMBS3904低制各温度的原理是什么?

   比较同等掺杂浓度多晶硅和单晶硅电阻率的大小,解释其不同的原因。

   制备中等浓度n型多晶硅通常采用什么工艺方法?

   PECvd法为何能在较低温度淀积氮化硅薄膜?

   磁控溅射主要有哪几种?特点是什么?

   一个抽速为2000L/min的工艺泵,不受进口处的压力影响,泵由长10m、直径为5cm的管道与真空室连接。如果预期的真空室压力为1,0torr,用标准的升每分钟单位来计算流入腔体的最大气体流量(提示:Q=PS)。

   如果一个工艺过程依靠对硅片的离子轰击,你会将硅片置于连接腔壁的电极上还是与腔壁隔离的电极上?

   一台蒸镀机有一个表面积为5cnl的坩埚,蒸发行星盘半径为30cm。试求金的淀积速率为0,1nm/s时,所需的坩埚温度。金的密度和原子量分别为18890kg/d和197。

   淀积薄膜的应力与其淀积温度有关吗?请解释。

   解释为什么薄膜应力与测量时薄膜的温度有关?

   以铝互连系统作为一种电路芯片的电连系统时,若分别采用真空蒸镀和磁控溅射工艺淀积铝膜,应分别从哪几方面来提高其台阶覆盖特性?