首先,简要介绍了真空系统的相关知识,如何获得真空度、如何测量真空度,为在真PMBF170空条件下进行的各单项工艺做了的必要的知识储备。然后,详细介绍了真空蒸镀和溅射两种P、①薄膜制各工艺的原理和主要方法,对比介绍了提高薄膜质量的控制措施。最后,对常采用P`0工艺制各的铝、铜金属互连系统中的铝及铝合金、铜及其阻挡层薄膜,以及多层金属薄膜和化合物薄膜的性质、用途和具体制备工艺做了较详细的介绍。

   1,比较APCX/^lD、I'PC、0和PECvd方法的主要异同和主要优缺点?

   2.有一特定LPCVD工艺,在700℃下受表面反应速率限制,激活能为2eV,在此温度下淀积速率为100nm/min。试问800℃时的淀积速率是多少?如果实测800℃的淀积速率值远低于所预期的计算值,可以得出什么结论?可以用什么方法证明?

   3.LPCVD氮化硅薄膜在KOH水溶液中的腐蚀速率非常慢,因此常作为硅片定域KOH各向异性腐蚀的掩蔽膜,而PECX/D氮化硅薄膜在KOH水溶液中的腐蚀速率快。怎样才能用已淀积的PEC、0氮化硅薄膜作为KOH各向异性腐蚀的掩蔽膜?

   4.标准的卧式LPCˇ0的反应器是热壁式的炉管,衬底硅片被竖立装在炉管的石英舟上,反应气体从炉管前端进人后端抽出,从炉管前端到后端各硅片淀积薄膜的生长速率会降低,那么每个硅片边缘到中心淀积薄膜的生长速率将怎样?如何改善硅片之间和硅片内薄膜厚度的均匀性?