纳米压印光刻技术实质上是将传统的模具复型原理应用到微观制造领域中。NⅡ'图形的转移是通过模具下压导致抗蚀剂流动并填充到模具表面特征图形中的,H27UBG8T2ATR-BC随后增大模具下压载荷致使抗蚀剂减薄,在抗蚀剂减薄过程中下压载荷恒定;当抗蚀剂减薄到后续工艺允许范围内(设定的留膜厚度)停止模具下压并固化抗蚀剂。与传统光刻工艺相比,它不是通过改变抗蚀剂的化学特性而实现抗蚀剂的图形化的,而是通过抗蚀剂的受力变形实现其图形化的。

   压印光刻技术按照压印面积可分为步进式压印(Step Impol△t uth。graplly,⒏L)和整片压印;按照压印过程中是否需要加热抗蚀剂可以分为热压印光刻和常温压印光刻(U平N⒒);按照压印模具的硬度的大小可以分为软压印光刻和硬压印光刻。现有的主流NL工艺的原理如图10记6所示。

    尽管NIL从原理上回避了昂贵的投影镜组和光学系统固有的物理限制,但因其属于接触式图形转移过程,又衍生了许多新的技术问题。其中1:1压印模具的制作、套印精度、模具的使用寿命、生 产率和缺陷控制等认为是当前最大的技术挑战。

   经过大约10年的开发、研究和调查,2004年下半年NII'最终被《国际半导体技术蓝图》收录,成为32nm后光刻技术时代的候选技术之一。但现在还很难说NIL是否能够真正用于IC的大批量生产,它日前需要解决的一个重大难题就是如何降低缺陷密度。