- 台阶覆盖2015/11/8 18:23:42 2015/11/8 18:23:42
- 在淀积的同时可形成原位(insitu)掺杂。当加入乙硼烷（硼源）时，HCPL-0930淀积率则有较大提高。当磷烷（磷源）或砷烷（砷源）作为掺杂气体时，其效果则相反。原位(insitu)掺杂所不希...[全文]
- 硅化学源2015/11/8 18:10:47 2015/11/8 18:10:47
- 硅化学源：硅烷(SiH。)是第二种常用的硅源。硅烷具有不需要第二种反应气体的优点。HCPL-0611它是通过受热分解产生硅原子的。反应温度比SiCl。的反应温度低几白‘摄氏度，在自动掺杂和晶圆弯...[全文]
- 薄膜表面的平整性如同厚度一样重要2015/11/7 21:49:46 2015/11/7 21:49:46
- 薄膜表面的平整性如同厚度一样重要。第10章已详尽阐述了台阶和表面的粗糙度对图像形成的影响。G2992F1U淀积的薄膜必须平整、光滑，并且淀积的方法允许形成最小的台阶、裂隙和表面反射。...[全文]
- 薄膜表面的平整性如同厚度一样重要2015/11/6 19:38:17 2015/11/6 19:38:17
- 薄膜表面的平整性如同厚度一样重要。第10章已详尽阐述了台阶和表面的粗糙度对图像形成的影响。AD7549AQ淀积的薄膜必须平整、光滑，并且淀积的方法允许形成最小的台阶、裂隙和表面反射。...[全文]
- 薄膜的参数2015/11/6 19:36:15 2015/11/6 19:36:15
- 器件层必须满足一般参数和特殊参数的要求。特殊AD7549AD参数将在相关的单独层中给予注释在半导体中薄膜需要满足的一般标准包括：·厚度或均匀性·表面平整度或粗糙度...[全文]
- 晶体损伤2015/11/6 19:23:55 2015/11/6 19:23:55
- 在离子注入过程中，由于入射离子的碰撞，晶圆晶体结构受到损伤。有3种类型的损伤：AD7548BQ晶格损伤、损伤群簇、空位一间隙[17]。．晶格损伤发生在入射离子与原物质原子发生碰撞，并取代原物质原...[全文]
- 离子注入区域的杂质浓度2015/11/6 19:22:36 2015/11/6 19:22:36
- 离子注入后的晶圆表面的离子分布与扩散工艺后的分布不同。扩散工艺中，AD7548AQ/+杂质原子的数量和位置由扩散定律、时间和温度决定。离子注入工艺中，原子数量（剂量）由束流密度（每平方厘米面积上...[全文]
- 加速管2015/11/5 18:36:34 2015/11/5 18:36:34
- 离开分析部分后，AD7001AS硼离子运动到加速管中。其目的是将离子加速到足够高的速度，获取足够高的动量以穿透晶圆表面。动量(momentum)定义为原子质量与其速度的乘积。这个部分保持在高真空...[全文]
- 聚酰亚胺平坦化层2015/11/4 21:46:42 2015/11/4 21:46:42
- 聚酰哑胺在印制电路板生产中已经被使用了许多年。在半导体生产中主要是用它增强淀积形成的二氧化硅膜的绝缘效果，AD847AR而且在晶圆七涂聚酰亚胺与涂光刻胶使用的没备相同24j。将聚酰...[全文]
- 驻波2015/11/3 20:05:33 2015/11/3 20:05:33
- 在10.5.2节已提到理想的曝光状态应该是辐射光波与晶圆表面成900角直接照射。NCP305LSQ28T1如果只考虑反射现象，上面这句话足对的。然而，垂直照射会引起另外一个问题，那就是驻波。，当...[全文]
- X射线光刻胶的研发工作也在进行2015/11/3 19:37:40 2015/11/3 19:37:40
- 在研发X射线曝光设备的同时，X射线光刻胶的研发工作也在进行。NCP303LSN33T1这项工作很复杂，因为没有一个标准的X射线源，同时X射线光刻胶要具有对X射线的高敏感性和对刻蚀工艺有良好的阻挡...[全文]
- 等离子体刻蚀2015/11/2 20:46:06 2015/11/2 20:46:06
- 等离子体刻蚀像湿法刻蚀一样是一种化学工艺，它使用气体和等离子体能量来进行化学反应：．二氧化硅刻蚀在两个系统中的比较说明了区别所在。EL1537AIRE在湿法刻蚀二氧化硅中，氟在缓冲氧化物刻蚀剂中...[全文]
- 暗场掩模版和正胶组合2015/10/30 22:20:30 2015/10/30 22:20:30
- 图形尺寸变小；(b)暗场掩模版和正胶组合，图形尺寸变大对于大多数掩模版来说，AD9923XBCZ图形大部分都是空洞。用正胶和暗场掩模版组合还可以在晶圆表面得到附加的针孔保护（见图8.19）。亮场...[全文]
- 光刻胶性能的要素2015/10/30 22:10:47 2015/10/30 22:10:47
- 光刻胶的选择是一个复杂的过程。主要的决定因素是晶圆表面对尺寸的要求。AD9214BRS-105光刻胶首先必须具有产生那些所要求尺寸的能力。除了这些，还必须有在刻蚀过程中阻挡刻蚀的功能。在阻挡刻蚀...[全文]
- 光刻胶会对许多形式的能量有反应2015/10/30 22:07:04 2015/10/30 22:07:04
- 光刻胶会对许多形式的能量有反应。这些形式的能量通常是指光能、热能等，或者是AD8641AKSZ-Reel7指电磁光谱中具体的某一部分光[如紫外线(UV)、深紫外线(DUV)、I线光(I-Line...[全文]
- 掺杂是将特定最的杂质通过薄膜扦引入晶圆表层2015/10/25 17:37:07 2015/10/25 17:37:07
- 掺杂是将特定最的杂质通过薄膜扦引入晶圆表层：艺过程（见图4.14）它有两种SSS4N60B艺方法：热扩散(thermaldiffusion)和离子注入(ionimplantation)，将在第1...[全文]
- 氢气还原三氯硅烷2015/10/24 18:59:51 2015/10/24 18:59:51
- ·气体到多晶的转变·多晶到单晶、MC9S12DG128BCPV掺杂晶棒的转变·晶棒到晶圆的制备半导体制造的第一个阶段是从泥土里选取和提纯半...[全文]
- 半导体集成电路的制造主要在中规模集成电路( MSI)的水平2015/10/22 20:57:01 2015/10/22 20:57:01
- 1963午，塑封在IRFR9024NTR硅器件E的使用加速了价格的下跌，同一年，美国无线电(RCA)公司宣布开发出厂绝缘场效应管(IFET)，这为MOS工业的发展铺平了道路。RCA还制造出了第一...[全文]
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