硅化学源：硅烷( SiH。)是第二种常用的硅源。硅烷具有不需要第二种反应气体的优点。 HCPL-0611它是通过受热分解产生硅原子的。反应温度比SiCl。的反应温度低几白‘摄氏度，在自动掺杂和晶圆弯曲等方面极具吸引力。硅烷也不会产生图形偏移（见下文“外延膜的质量”）。遗憾的是，硅烷在反应时，反应气体遍及整个反应室内，形成粉末状的薄膜而污染晶圆。作为反应源，硅烷在多晶硅和二氧化硅的淀积中有着更多的应用。

   二氯二氢硅化学源：二氯二氢硅( SiH2 Cl2)也是一种用于薄外延膜的低温硅源：较低的温度可减少自动掺杂和在前步工艺扩散埋层中的固态扩散，并提供更加一致的晶体结构。

   外延薄膜掺杂：外延薄膜的优点之一就是通过工艺达到精细的掺杂和对掺杂范围的控制。晶圆制造时，其浓度可达到约l0'3~ 10'9原子／CIT13。外延膜的生长可以从l0'2原子／CIT13到1020原子／CIT13，其上限接近磷在硅中的固态溶解度。，

   薄膜的掺杂是通过将掺杂气流添加到淀积反应物中的方式获取的。糁杂气体源完全与淀积掺杂反应炉内使用的化学物和输送系统相同。实际效果是CVD淀积反应室转换成掺杂反应炉。在反应室内，掺杂剂与生长膜相融合，并确定所需的电阻。N型和P型膜能够在N型或P型晶圆上生长。双极技术中的传统工艺生长的外延膜是在P型晶圆上进行N型外延膜生长的。