四氯化硅化学源：外延层的淀积可选用一些不同的化学源（见图12. 28）。在选择HC256硅的化学源上，淀积温度、薄膜质量、生长速率及与特殊系统的兼容性均是考虑的因素。其中，一个重要的工艺参数是淀积温度。温度越高，生长速率越快。但过快的生长速率会形成较多的晶体缺陷，产生薄膜裂隙和应力。较高的温度也会造成较高的自动掺杂和扩散外溢（这砦效应在下面的章节中描述）。

   四氯化硅( SiCl4)是硅淀积中首选的化学源。它能够允许高的成形温度（生长速率）并具有可逆的化学反应。在图12．. 28中，双箭头表示在一个方向进行反应形成的硅原子，而在另一方向上的反应将硅去除（刻蚀）。在反应室内，这两种反应彼此竞相进行。

   最初，硅表面被刻蚀，为淀积反应做准备。第二阶段，硅的淀积比刻蚀速率快，产生淀积的薄膜。

   图12. 29显示了这两种反应的效果。随着在气体流中增加四氯化硅分子的百分比含量，淀积率首先增加。在比率为0.1时，刻蚀反应开始并起主导作用，减慢了生长速率。起始时，在反应室内主要是薄膜的生长。氯化氢( HCl)气体通过流量计进入反应室，刻蚀掉很薄的一层硅表面，为其后的硅淀积做准备.