在淀积的同时可形成原位(in situ)掺杂。当加入乙硼烷（硼源）时，HCPL-0930淀积率则有较大提高。当磷烷（磷源）或砷烷（砷源）作为掺杂气体时，其效果则相反。原位(in situ)掺杂所不希望的效果是薄膜的均匀性、掺杂的均匀性和掺杂率的控制上的损失等。由于掺杂剂嵌入到成核的边界引起电阻率的降低，掺杂的多晶硅薄膜的电阻率小于那些同等掺杂量的外延硅或体硅。

   大多数多晶硅层是采用I．PCVD系统进行淀积的。该系统提供厂良好的生产效率和较低的淀积温度。由二多晶硅通常在稍后的工艺流程中淀积，并且表面随着形貌而变化，所以I．PCVD提供r良好的台阶覆盖性（见图12.38）。单反应室多晶硅LPCVD系统提供了比较高的淀积率而无须较高的温度25 J。