离子注入后的晶圆表面的离子分布与扩散工艺后的分布不同。扩散工艺中，AD7548AQ/+杂质原子的数量和位置由扩散定律、时间和温度决定。离子注入工艺中，原子数量（剂量）由束流密度（每平方厘米面积上的离子数量）和注入时间来决定。晶圆内部离子的具体位置与离子能量、晶圆取向、离子的停止机制有关。前两个是物理因素。入射离子的质量越大和／或能量越高，在晶圆中移动就越深。晶圆取向影响到停止位置是由于不同晶面上原子密度的不同，而离子是被晶圆原子停住的。

   晶圆内部，粒子的减速及停止基于两种机制。正离子由于晶体内部带负电的电子而减速。另外的交互作用是与晶圆原子核的碰撞。所有使停因素都是变化的；离子的能量是有分布的，晶体不是完美的，电的交互反应与碰撞会发生变化。最终的影响是离子停在晶圆内一定的区间范围（见图11. 30）。它们集中在一定的深庋处称为投影射程(projected range)，两侧浓度逐渐降低。额外的注入产生相似的分布图形。不同离子的投影射程如图11. 31所示。在数学上，离子分布的形状是高斯曲线。入射离子与晶圆体的结发生在入射离子浓度与体浓度相同的地方。